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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRLMS5703TRPBF
IRLMS5703TRPBF Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRLMS5703TRPBF - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRLMS5703TRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRLMS5703TRPBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET P-CH 30V 2.4A MICRO6
Descripción detallada
Embalaje
SOT-23-6
Ficha de datos
IRLMS5703TRPBF.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 4510

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRLMS5703TRPBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRLMS5703TRPBF con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRLMS5703TRPBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo Micro6™(TSOP-6)  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 180mOhm @ 1.6A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 1.7W (Ta)  
Paquete / Cubierta SOT-23-6  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 170 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 11 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 2.4A (Ta)  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRLMS5703TRPBF

Atributo del producto IRLMS5703TRPBF IRLMS6702TRPBF IRLMS6702TR IRLMS6802TR
Número de pieza IRLMS5703TRPBF IRLMS6702TRPBF IRLMS6702TR IRLMS6802TR
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 170 pF @ 25 V 210 pF @ 15 V 210 pF @ 15 V 1079 pF @ 10 V
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 250µA 700mV @ 250µA (Min) 700mV @ 250µA (Min) 1.2V @ 250µA
Característica de FET - - - -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 2.7V, 4.5V - -
Serie HEXFET® HEXFET® - -
Paquete / Cubierta SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 2.4A (Ta) 2.4A (Ta) 2.4A (Ta) 5.6A (Ta)
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 11 nC @ 10 V 8.8 nC @ 4.5 V 8.8 nC @ 4.5 V 16 nC @ 5 V
La disipación de energía (máximo) 1.7W (Ta) 1.7W (Ta) - -
RDS (Max) @Id, Vgs 180mOhm @ 1.6A, 10V 200mOhm @ 1.6A, 4.5V 200mOhm @ 1.6A, 4.5V 50mOhm @ 5.1A, 4.5V
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Vgs (Max) ±20V ±12V - -
Paquete del dispositivo Micro6™(TSOP-6) Micro6™(TSOP-6) Micro6™(SOT23-6) Micro6™(SOT23-6)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V 20 V 20 V 20 V

IRLMS5703TRPBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRLMS5703TRPBF y la documentación Infineon Technologies para IRLMS5703TRPBF - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
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1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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