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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRLMS6702TRPBF
IRLMS6702TRPBF Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRLMS6702TRPBF - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRLMS6702TRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRLMS6702TRPBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO6
Descripción detallada
Embalaje
SOT-23-6
Ficha de datos
IRLMS6702TRPBF.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 4620

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRLMS6702TRPBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRLMS6702TRPBF con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRLMS6702TRPBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 700mV @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo Micro6™(TSOP-6)  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 200mOhm @ 1.6A, 4.5V  
La disipación de energía (máximo) 1.7W (Ta)  
Paquete / Cubierta SOT-23-6  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 210 pF @ 15 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 8.8 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 2.4A (Ta)  
Número de producto base IRLMS6702  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRLMS6702TRPBF

Atributo del producto IRLMS6702TRPBF IRLR014 IRLR014NPBF IRLMS6802TRPBF
Número de pieza IRLMS6702TRPBF IRLR014 IRLR014NPBF IRLMS6802TRPBF
Fabricante Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 2.4A (Ta) 7.7A (Tc) 10A (Tc) 5.6A (Ta)
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @Id 700mV @ 250µA (Min) 2V @ 250µA 1V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Serie HEXFET® - HEXFET® HEXFET®
Vgs (Max) ±12V ±10V ±16V ±12V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 210 pF @ 15 V 400 pF @ 25 V 265 pF @ 25 V 1079 pF @ 10 V
Característica de FET - - - -
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 8.8 nC @ 4.5 V 8.4 nC @ 5 V 7.9 nC @ 5 V 16 nC @ 5 V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V 60 V 55 V 20 V
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paquete Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
La disipación de energía (máximo) 1.7W (Ta) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 28W (Tc) 2W (Ta)
RDS (Max) @Id, Vgs 200mOhm @ 1.6A, 4.5V 200mOhm @ 4.6A, 5V 140mOhm @ 6A, 10V 50mOhm @ 5.1A, 4.5V
Paquete del dispositivo Micro6™(TSOP-6) D-Pak D-Pak Micro6™(TSOP-6)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V 4V, 5V 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V
Número de producto base IRLMS6702 IRLR014 - IRLMS6802
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Paquete / Cubierta SOT-23-6 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 SOT-23-6
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

IRLMS6702TRPBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRLMS6702TRPBF y la documentación Infineon Technologies para IRLMS6702TRPBF - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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