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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRLMS5703TR
IRLMS5703TR Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRLMS5703TR - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRLMS5703TR
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRLMS5703TR
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-TSOP
Descripción detallada
Embalaje
SOT-23-6
Ficha de datos
IRLMS5703TR.pdf
Existencias disponibles: 4310

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRLMS5703TR
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRLMS5703TR con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRLMS5703TR

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 250µA  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo Micro6™(SOT23-6)  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 200mOhm @ 1.6A, 10V  
Paquete / Cubierta SOT-23-6  
Paquete Cut Tape (CT)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 170 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 11 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 2.3A (Ta)  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRLMS5703TR

Atributo del producto IRLMS5703TR IRLMS2002TR IRLMS6802TR IRLMS4502TR
Número de pieza IRLMS5703TR IRLMS2002TR IRLMS6802TR IRLMS4502TR
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 170 pF @ 25 V 1310 pF @ 15 V 1079 pF @ 10 V 1820 pF @ 10 V
Paquete / Cubierta SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V 20 V 20 V 12 V
Serie - - - HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs 200mOhm @ 1.6A, 10V 30mOhm @ 6.5A, 4.5V 50mOhm @ 5.1A, 4.5V 42mOhm @ 5.5A, 4.5V
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paquete del dispositivo Micro6™(SOT23-6) Micro6™(SOT23-6) Micro6™(SOT23-6) Micro6™(TSOP-6)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 11 nC @ 10 V 22 nC @ 5 V 16 nC @ 5 V 33 nC @ 5 V
Característica de FET - - - -
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 600mV @ 250µA (Min)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 2.3A (Ta) 6.5A (Ta) 5.6A (Ta) 5.5A (Ta)
Paquete Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

IRLMS5703TR Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRLMS5703TR y la documentación Infineon Technologies para IRLMS5703TR - Infineon Technologies.

Otros documentos relacionados
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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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