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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRLMS6702TR
IRLMS6702TR Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRLMS6702TR - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRLMS6702TR
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRLMS6702TR
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP
Descripción detallada
Embalaje
SOT-23-6
Ficha de datos
IRLMS6702.pdf
Existencias disponibles: 4860

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRLMS6702TR
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRLMS6702TR con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRLMS6702TR

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 700mV @ 250µA (Min)  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo Micro6™(SOT23-6)  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 200mOhm @ 1.6A, 4.5V  
Paquete / Cubierta SOT-23-6  
Paquete Cut Tape (CT)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 210 pF @ 15 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 8.8 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 2.4A (Ta)  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRLMS6702TR

Atributo del producto IRLMS6702TR IRLR014 IRLMS5703TR IRLMS6702TRPBF
Número de pieza IRLMS6702TR IRLR014 IRLMS5703TR IRLMS6702TRPBF
Fabricante Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies
VGS (th) (Max) @Id 700mV @ 250µA (Min) 2V @ 250µA 1V @ 250µA 700mV @ 250µA (Min)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 8.8 nC @ 4.5 V 8.4 nC @ 5 V 11 nC @ 10 V 8.8 nC @ 4.5 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 210 pF @ 15 V 400 pF @ 25 V 170 pF @ 25 V 210 pF @ 15 V
Paquete / Cubierta SOT-23-6 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 SOT-23-6 SOT-23-6
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Característica de FET - - - -
Paquete del dispositivo Micro6™(SOT23-6) D-Pak Micro6™(SOT23-6) Micro6™(TSOP-6)
Tipo FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
RDS (Max) @Id, Vgs 200mOhm @ 1.6A, 4.5V 200mOhm @ 4.6A, 5V 200mOhm @ 1.6A, 10V 200mOhm @ 1.6A, 4.5V
Serie - - - HEXFET®
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V 60 V 30 V 20 V
Paquete Cut Tape (CT) Tube Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 2.4A (Ta) 7.7A (Tc) 2.3A (Ta) 2.4A (Ta)

IRLMS6702TR Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRLMS6702TR y la documentación Infineon Technologies para IRLMS6702TR - Infineon Technologies.

Otros documentos relacionados
Part Number Guide.pdf
PCN obsolescencia/ EOL
Multiple Devices 03/Apr/2013.pdf
Hojas de datos
IRLMS6702.pdf

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Coste de envío

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Método de entrega

  1. Envío común global por DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF SOBRE SOPORTE.
  2. Otras más formas de envío, póngase en contacto con su gerente de clientes.

Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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