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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRLMS2002TRPBF
IRLMS2002TRPBF Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.
OPCIóN EXPRESA
Método de pago

IRLMS2002TRPBF - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRLMS2002TRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRLMS2002TRPBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6
Embalaje
SOT-23-6
Ficha de datos
IRLMS2002TRPBF.pdf
Estado RoHS
Nuestra certificación
Existencias disponibles: 151420

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Cantidad
OPCIóN EXPRESA
Método de pago
Nuestra certificación

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRLMS2002TRPBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRLMS2002TRPBF con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRLMS2002TRPBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 1.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo Micro6™(SOT23-6)  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 30mOhm @ 6.5A, 4.5V  
La disipación de energía (máximo) 2W (Ta)  
Paquete / Cubierta SOT-23-6  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1310 pF @ 15 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 22 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 6.5A (Ta)  
Número de producto base IRLMS2002  

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estatus de alcance REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRLMS2002TRPBF

Atributo del producto IRLMS2002TRPBF IRLMS1503TR IRLMS2002TR IRLMS4502TR
Número de pieza IRLMS2002TRPBF IRLMS1503TR IRLMS2002TR IRLMS4502TR
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V 30 V 20 V 12 V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) - - -55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete del dispositivo Micro6™(SOT23-6) Micro6™(TSOP-6) Micro6™(SOT23-6) Micro6™(TSOP-6)
Característica de FET - - - -
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1310 pF @ 15 V 210 pF @ 25 V 1310 pF @ 15 V 1820 pF @ 10 V
Paquete / Cubierta SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6
La disipación de energía (máximo) 2W (Ta) - - 1.7W (Ta)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 6.5A (Ta) 3.2A (Ta) 6.5A (Ta) 5.5A (Ta)
VGS (th) (Max) @Id 1.2V @ 250µA 1V @ 250µA 1.2V @ 250µA 600mV @ 250µA (Min)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
RDS (Max) @Id, Vgs 30mOhm @ 6.5A, 4.5V 100mOhm @ 2.2A, 10V 30mOhm @ 6.5A, 4.5V 42mOhm @ 5.5A, 4.5V
Número de producto base IRLMS2002 - - -
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 22 nC @ 5 V 9.6 nC @ 10 V 22 nC @ 5 V 33 nC @ 5 V
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie HEXFET® - - HEXFET®
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V - - 2.5V, 4.5V
Vgs (Max) ±12V - - ±12V
Paquete Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

IRLMS2002TRPBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRLMS2002TRPBF y la documentación Infineon Technologies para IRLMS2002TRPBF - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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