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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRLMS1503TRPBF
IRLMS1503TRPBF Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.
OPCIóN EXPRESA
Método de pago

IRLMS1503TRPBF - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRLMS1503TRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRLMS1503TRPBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 30V 3.2A MICRO6
Embalaje
SOT-23-6
Ficha de datos
IRLMS1503TRPBF.pdf
Estado RoHS
Nuestra certificación
Existencias disponibles: 123090

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Cantidad
OPCIóN EXPRESA
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Nuestra certificación

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRLMS1503TRPBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRLMS1503TRPBF con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRLMS1503TRPBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo Micro6™(TSOP-6)  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 100mOhm @ 2.2A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 1.7W (Ta)  
Paquete / Cubierta SOT-23-6  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 210 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 9.6 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 3.2A (Ta)  
Número de producto base IRLMS1503  

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estatus de alcance REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRLMS1503TRPBF

Atributo del producto IRLMS1503TRPBF IRLMS1902TRPBF IRLMS1902TR IRLML9301TRPBF
Número de pieza IRLMS1503TRPBF IRLMS1902TRPBF IRLMS1902TR IRLML9301TRPBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
RDS (Max) @Id, Vgs 100mOhm @ 2.2A, 10V 100mOhm @ 2.2A, 4.5V 100mOhm @ 2.2A, 4.5V 64mOhm @ 3.6A, 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 9.6 nC @ 10 V 7 nC @ 4.5 V 7 nC @ 4.5 V 4.8 nC @ 4.5 V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Paquete del dispositivo Micro6™(TSOP-6) Micro6™(TSOP-6) Micro6™(TSOP-6) Micro3™/SOT-23
La disipación de energía (máximo) 1.7W (Ta) 1.7W (Ta) 1.7W (Ta) 1.3W (Ta)
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 250µA 700mV @ 250µA (Min) 700mV @ 250µA (Min) 2.4V @ 10µA
Característica de FET - - - -
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 210 pF @ 25 V 300 pF @ 15 V 300 pF @ 15 V 388 pF @ 25 V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 3.2A (Ta) 3.2A (Ta) 3.2A (Ta) 3.6A (Ta)
Número de producto base IRLMS1503 IRLMS1902 - IRLML9301
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V 20 V 20 V 30 V
Paquete / Cubierta SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 2.7V, 4.5V 2.7V, 4.5V 4.5V, 10V
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±12V ±12V ±20V

IRLMS1503TRPBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRLMS1503TRPBF y la documentación Infineon Technologies para IRLMS1503TRPBF - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
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Nueva Zelanda 5
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Japón 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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