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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRLML9303TRPBF
IRLML9303TRPBF Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.
OPCIóN EXPRESA
Método de pago

IRLML9303TRPBF - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRLML9303TRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRLML9303TRPBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT23
Embalaje
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Ficha de datos
IRLML9303TRPBF.pdf
Estado RoHS
Nuestra certificación
Existencias disponibles: 260560

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Cantidad
OPCIóN EXPRESA
Método de pago
Nuestra certificación

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRLML9303TRPBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRLML9303TRPBF con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRLML9303TRPBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 2.4V @ 10µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo Micro3™/SOT-23  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 165mOhm @ 2.3A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 1.25W (Ta)  
Paquete / Cubierta TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 160 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 2 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 2.3A (Ta)  
Número de producto base IRLML9303  

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estatus de alcance REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRLML9303TRPBF

Atributo del producto IRLML9303TRPBF IRLMS2002 IRLMS2002TR IRLMS1503TR
Número de pieza IRLML9303TRPBF IRLMS2002 IRLMS2002TR IRLMS1503TR
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paquete Tape & Reel (TR) Tube Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)
Vgs (Max) ±20V ±12V - -
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V 20 V 20 V 30 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 2.3A (Ta) 6.5A (Ta) 6.5A (Ta) 3.2A (Ta)
Característica de FET - - - -
Número de producto base IRLML9303 IRLMS200 - -
Paquete / Cubierta TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6
VGS (th) (Max) @Id 2.4V @ 10µA 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1V @ 250µA
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V - -
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 160 pF @ 25 V 1310 pF @ 15 V 1310 pF @ 15 V 210 pF @ 25 V
Paquete del dispositivo Micro3™/SOT-23 Micro6™(SOT23-6) Micro6™(SOT23-6) Micro6™(TSOP-6)
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie HEXFET® HEXFET® - -
La disipación de energía (máximo) 1.25W (Ta) 2W (Ta) - -
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 2 nC @ 4.5 V 22 nC @ 5 V 22 nC @ 5 V 9.6 nC @ 10 V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) - - -
RDS (Max) @Id, Vgs 165mOhm @ 2.3A, 10V 30mOhm @ 6.5A, 4.5V 30mOhm @ 6.5A, 4.5V 100mOhm @ 2.2A, 10V

IRLML9303TRPBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRLML9303TRPBF y la documentación Infineon Technologies para IRLML9303TRPBF - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
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Europa Alemania 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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