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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIXFN180N10
IXYS
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IXFN180N10 - IXYS

Fabricante Número de pieza
IXFN180N10
Fabricante
IXYS Corporation
Allelco Número de pieza
32D-IXFN180N10
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B
Descripción detallada
Embalaje
SOT-227-4, miniBLOC
Ficha de datos
IXFN180N10.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 5010

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IXFN180N10
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de IXYS - IXFN180N10 con especificaciones similares a IXYS - IXFN180N10

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo SOT-227B  
Serie HiPerFET™  
RDS (Max) @Id, Vgs 8mOhm @ 500mA, 10V  
La disipación de energía (máximo) 600W (Tc)  
Paquete / Cubierta SOT-227-4, miniBLOC  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Chassis Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 9100 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 360 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 180A (Tc)  
Número de producto base IXFN180  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las IXYS IXFN180N10

Atributo del producto IXFN180N10 IXFN180N25T IXFN170N10 IXFN170N30P
Número de pieza IXFN180N10 IXFN180N25T IXFN170N10 IXFN170N30P
Fabricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie HiPerFET™ HiPerFET™, Trench HiPerFET™ HiPerFET™, Polar
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paquete / Cubierta SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 180A (Tc) 168A (Tc) 170A (Tc) 138A (Tc)
Tipo de montaje Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Paquete Tube Tube Tube Tube
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V 250 V 100 V 300 V
RDS (Max) @Id, Vgs 8mOhm @ 500mA, 10V 12.9mOhm @ 60A, 10V 10mOhm @ 500mA, 10V 18mOhm @ 85A, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 8mA 5V @ 8mA 4V @ 8mA 4.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 360 nC @ 10 V 345 nC @ 10 V 515 nC @ 10 V 258 nC @ 10 V
La disipación de energía (máximo) 600W (Tc) 900W (Tc) 600W (Tc) 890W (Tc)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 9100 pF @ 25 V 28000 pF @ 25 V 10300 pF @ 25 V 20000 pF @ 25 V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Número de producto base IXFN180 IXFN180 IXFN170 IXFN170
Característica de FET - - - -
Paquete del dispositivo SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B

IXFN180N10 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IXFN180N10 y la documentación IXYS para IXFN180N10 - IXYS.

PCN obsolescencia/ EOL
Mult Devices OBS 24/Feb/2014.pdf
Hojas de datos
IXFN180N10.pdf

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(Diferentes marco de tiempo / países / tamaño del paquete tiene un precio diferente).

Método de entrega

  1. Envío común global por DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF SOBRE SOPORTE.
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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
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