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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIXFN180N15P
IXYS
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IXFN180N15P - IXYS

Fabricante Número de pieza
IXFN180N15P
Fabricante
IXYS Corporation
Allelco Número de pieza
32D-IXFN180N15P
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B
Descripción detallada
Embalaje
SOT-227-4, miniBLOC
Ficha de datos
IXFN180N15P.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 2080

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IXFN180N15P
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de IXYS - IXFN180N15P con especificaciones similares a IXYS - IXFN180N15P

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo SOT-227B  
Serie HiPerFET™, Polar  
RDS (Max) @Id, Vgs 11mOhm @ 90A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 680W (Tc)  
Paquete / Cubierta SOT-227-4, miniBLOC  
Paquete Box  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Chassis Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7000 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 150 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 150A (Tc)  
Número de producto base IXFN180  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las IXYS IXFN180N15P

Atributo del producto IXFN180N15P IXFN170N25X3 IXFN200N07 IXFN20N120
Número de pieza IXFN180N15P IXFN170N25X3 IXFN200N07 IXFN20N120
Fabricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Característica de FET - - - -
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7000 pF @ 25 V 13500 pF @ 25 V 9000 pF @ 25 V 7400 pF @ 25 V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 4mA 4.5V @ 4mA 4V @ 8mA 4.5V @ 8mA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 150A (Tc) 170A (Tc) 200A (Tc) 20A (Tc)
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo de montaje Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Paquete del dispositivo SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 240 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V 480 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Ultra X3 HiPerFET™ HiPerFET™
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 150 V 250 V 70 V 1200 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La disipación de energía (máximo) 680W (Tc) 390W (Tc) 520W (Tc) 780W (Tc)
Paquete Box Tube Tube Tube
RDS (Max) @Id, Vgs 11mOhm @ 90A, 10V 7.4mOhm @ 85A, 10V 6mOhm @ 500mA, 10V 750mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Número de producto base IXFN180 IXFN170 IXFN200 IXFN20
Paquete / Cubierta SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC

IXFN180N15P Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IXFN180N15P y la documentación IXYS para IXFN180N15P - IXYS.

Hojas de datos
IXFN180N15P.pdf

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(Diferentes marco de tiempo / países / tamaño del paquete tiene un precio diferente).

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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