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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIXFN170N30P
IXYS
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IXFN170N30P - IXYS

Fabricante Número de pieza
IXFN170N30P
Fabricante
IXYS Corporation
Allelco Número de pieza
32D-IXFN170N30P
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B
Descripción detallada
Embalaje
SOT-227-4, miniBLOC
Ficha de datos
IXFN170N30P.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 1075

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IXFN170N30P
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de IXYS - IXFN170N30P con especificaciones similares a IXYS - IXFN170N30P

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @Id 4.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo SOT-227B  
Serie HiPerFET™, Polar  
RDS (Max) @Id, Vgs 18mOhm @ 85A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 890W (Tc)  
Paquete / Cubierta SOT-227-4, miniBLOC  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Chassis Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 20000 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 258 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 300 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 138A (Tc)  
Número de producto base IXFN170  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las IXYS IXFN170N30P

Atributo del producto IXFN170N30P IXFN160N30T IXFN140N30P IXFN180N07
Número de pieza IXFN170N30P IXFN160N30T IXFN140N30P IXFN180N07
Fabricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Tipo de montaje Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
RDS (Max) @Id, Vgs 18mOhm @ 85A, 10V 19mOhm @ 60A, 10V 24mOhm @ 70A, 10V 7mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paquete del dispositivo SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Característica de FET - - - -
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paquete Tube Tube Tube Tube
Número de producto base IXFN170 IXFN160 IXFN140 IXFN180
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 138A (Tc) 130A (Tc) 110A (Tc) 180A (Tc)
Paquete / Cubierta SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 258 nC @ 10 V 335 nC @ 10 V 185 nC @ 10 V 480 nC @ 10 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 20000 pF @ 25 V 28000 pF @ 25 V 14800 pF @ 25 V 9000 pF @ 25 V
La disipación de energía (máximo) 890W (Tc) 900W (Tc) 700W (Tc) 520W (Tc)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 300 V 300 V 300 V 70 V
Serie HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Trench HiPerFET™, Polar HiPerFET™
VGS (th) (Max) @Id 4.5V @ 1mA 5V @ 8mA 5V @ 8mA 4V @ 8mA

IXFN170N30P Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IXFN170N30P y la documentación IXYS para IXFN170N30P - IXYS.

Hojas de datos
IXFN170N30P.pdf

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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