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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIXFN160N30T
IXYS
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IXFN160N30T - IXYS

Fabricante Número de pieza
IXFN160N30T
Fabricante
IXYS Corporation
Allelco Número de pieza
32D-IXFN160N30T
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 300V 130A SOT227B
Descripción detallada
Embalaje
SOT-227-4, miniBLOC
Ficha de datos
IXFN160N30T.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 1833

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IXFN160N30T
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de IXYS - IXFN160N30T con especificaciones similares a IXYS - IXFN160N30T

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo SOT-227B  
Serie HiPerFET™, Trench  
RDS (Max) @Id, Vgs 19mOhm @ 60A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 900W (Tc)  
Paquete / Cubierta SOT-227-4, miniBLOC  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Chassis Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 28000 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 335 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 300 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 130A (Tc)  
Número de producto base IXFN160  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las IXYS IXFN160N30T

Atributo del producto IXFN160N30T IXFN140N20P IXFN130N30 IXFN170N25X3
Número de pieza IXFN160N30T IXFN140N20P IXFN130N30 IXFN170N25X3
Fabricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Paquete del dispositivo SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 335 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 380 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 300 V 200 V 300 V 250 V
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 8mA 5V @ 4mA 4V @ 8mA 4.5V @ 4mA
RDS (Max) @Id, Vgs 19mOhm @ 60A, 10V 18mOhm @ 70A, 10V 22mOhm @ 500mA, 10V 7.4mOhm @ 85A, 10V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 28000 pF @ 25 V 7500 pF @ 25 V 14500 pF @ 25 V 13500 pF @ 25 V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo de montaje Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Serie HiPerFET™, Trench HiPerFET™, Polar HiPerFET™ HiPerFET™, Ultra X3
Característica de FET - - - -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V, 15V 10V 10V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 130A (Tc) 115A (Tc) 130A (Tc) 170A (Tc)
La disipación de energía (máximo) 900W (Tc) 680W (Tc) 700W (Tc) 390W (Tc)
Paquete Tube Box Tube Tube
Número de producto base IXFN160 IXFN140 IXFN130 IXFN170
Paquete / Cubierta SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC

IXFN160N30T Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IXFN160N30T y la documentación IXYS para IXFN160N30T - IXYS.

Hojas de datos
IXFN160N30T.pdf

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(Diferentes marco de tiempo / países / tamaño del paquete tiene un precio diferente).

Método de entrega

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
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Modos de pago compatibles

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