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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIXFN140N20P
IXYS
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IXFN140N20P - IXYS

Fabricante Número de pieza
IXFN140N20P
Fabricante
IXYS Corporation
Allelco Número de pieza
32D-IXFN140N20P
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B
Descripción detallada
Embalaje
SOT-227-4, miniBLOC
Ficha de datos
IXFN140N20P.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 2104

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IXFN140N20P
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de IXYS - IXFN140N20P con especificaciones similares a IXYS - IXFN140N20P

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo SOT-227B  
Serie HiPerFET™, Polar  
RDS (Max) @Id, Vgs 18mOhm @ 70A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 680W (Tc)  
Paquete / Cubierta SOT-227-4, miniBLOC  
Paquete Box  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Chassis Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7500 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V, 15V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 200 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 115A (Tc)  
Número de producto base IXFN140  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las IXYS IXFN140N20P

Atributo del producto IXFN140N20P IXFN120N20 IXFN132N50P3 IXFN120N65X2
Número de pieza IXFN140N20P IXFN120N20 IXFN132N50P3 IXFN120N65X2
Fabricante IXYS IXYS IXYS IXYS
La disipación de energía (máximo) 680W (Tc) 600W (Tc) 1500W (Tc) 890W (Tc)
Número de producto base IXFN140 IXFN120 IXFN132 IXFN120
Característica de FET - - - -
Serie HiPerFET™, Polar HiPerFET™ HiPerFET™, Polar3™ HiPerFET™, Ultra X2
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 4mA 4V @ 8mA 5V @ 8mA 5.5V @ 8mA
RDS (Max) @Id, Vgs 18mOhm @ 70A, 10V 17mOhm @ 500mA, 10V 39mOhm @ 66A, 10V 24mOhm @ 54A, 10V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paquete Box Tube Tube Tube
Tipo de montaje Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 240 nC @ 10 V 360 nC @ 10 V 250 nC @ 10 V 225 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 200 V 200 V 500 V 650 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7500 pF @ 25 V 9100 pF @ 25 V 18600 pF @ 25 V 15500 pF @ 25 V
Paquete / Cubierta SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 115A (Tc) 120A (Tc) 112A (Tc) 108A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±30V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V, 15V 10V 10V 10V
Paquete del dispositivo SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B

IXFN140N20P Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IXFN140N20P y la documentación IXYS para IXFN140N20P - IXYS.

Hojas de datos
IXFN140N20P.pdf

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Coste de envío

  1. Use su cuenta expresa para el envío si tiene una.
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(Diferentes marco de tiempo / países / tamaño del paquete tiene un precio diferente).

Método de entrega

  1. Envío común global por DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF SOBRE SOPORTE.
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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
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