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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaSI1403BDL-T1-GE3
SI1403BDL-T1-GE3 Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

SI1403BDL-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Fabricante Número de pieza
SI1403BDL-T1-GE3
Fabricante
Vishay / Siliconix
Allelco Número de pieza
32D-SI1403BDL-T1-GE3
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6
Descripción detallada
Embalaje
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Ficha de datos
SI1403BDL.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 211630

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas SI1403BDL-T1-GE3
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Vishay Siliconix - SI1403BDL-T1-GE3 con especificaciones similares a Vishay Siliconix - SI1403BDL-T1-GE3

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @Id 1.3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo SC-70-6  
Serie TrenchFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 150mOhm @ 1.5A, 4.5V  
La disipación de energía (máximo) 625mW (Ta)  
Paquete / Cubierta 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 4.5 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 1.5A (Ta)  
Número de producto base SI1403  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Vishay Siliconix SI1403BDL-T1-GE3

Atributo del producto SI1403BDL-T1-GE3 SI1400DL-T1-E3 SI1405DL-T1-GE3 SI1330EDL-T1-GE3
Número de pieza SI1403BDL-T1-GE3 SI1400DL-T1-E3 SI1405DL-T1-GE3 SI1330EDL-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V 3V, 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 4.5 nC @ 4.5 V 4 nC @ 4.5 V 7 nC @ 4.5 V 0.6 nC @ 4.5 V
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SC-70, SOT-323
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 1.5A (Ta) 1.6A (Ta) 1.6A (Ta) 240mA (Ta)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @Id 1.3V @ 250µA 600mV @ 250µA (Min) 450mV @ 250µA (Min) 2.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-3
Tipo FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Característica de FET - - - -
La disipación de energía (máximo) 625mW (Ta) 568mW (Ta) 568mW (Ta) 280mW (Ta)
Vgs (Max) ±12V ±12V ±8V ±20V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V 20 V 8 V 60 V
RDS (Max) @Id, Vgs 150mOhm @ 1.5A, 4.5V 150mOhm @ 1.7A, 4.5V 125mOhm @ 1.8A, 4.5V 2.5Ohm @ 250mA, 10V
Número de producto base SI1403 SI1400 SI1405 SI1330

SI1403BDL-T1-GE3 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF SI1403BDL-T1-GE3 y la documentación Vishay Siliconix para SI1403BDL-T1-GE3 - Vishay Siliconix.

Información ambiental
Material Compliance.pdf
Hojas de datos
SI1403BDL.pdf

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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