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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaSI1317DL-T1-GE3
Vishay Siliconix
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

SI1317DL-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Fabricante Número de pieza
SI1317DL-T1-GE3
Fabricante
Vishay / Siliconix
Allelco Número de pieza
32D-SI1317DL-T1-GE3
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT323
Descripción detallada
Embalaje
SC-70, SOT-323
Ficha de datos
Si1317DL.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 253390

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas SI1317DL-T1-GE3
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Vishay Siliconix - SI1317DL-T1-GE3 con especificaciones similares a Vishay Siliconix - SI1317DL-T1-GE3

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @Id 800mV @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo SC-70-3  
Serie TrenchFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 150mOhm @ 1.4A, 4.5V  
La disipación de energía (máximo) 500mW (Tc)  
Paquete / Cubierta SC-70, SOT-323  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -50°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 272 pF @ 10 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 6.5 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 1.4A (Tc)  
Número de producto base SI1317  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Vishay Siliconix SI1317DL-T1-GE3

Atributo del producto SI1317DL-T1-GE3 SI1403BDL-T1-GE3 SI1400DL-T1-GE3 SI1400DL-T1-E3
Número de pieza SI1317DL-T1-GE3 SI1403BDL-T1-GE3 SI1400DL-T1-GE3 SI1400DL-T1-E3
Fabricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Número de producto base SI1317 SI1403 SI1400 SI1400
Paquete del dispositivo SC-70-3 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 1.4A (Tc) 1.5A (Ta) 1.6A (Ta) 1.6A (Ta)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Característica de FET - - - -
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento -50°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Paquete / Cubierta SC-70, SOT-323 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Tipo FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±8V ±12V ±12V ±12V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V 20 V 20 V 20 V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 6.5 nC @ 4.5 V 4.5 nC @ 4.5 V 4 nC @ 4.5 V 4 nC @ 4.5 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 272 pF @ 10 V - - -
La disipación de energía (máximo) 500mW (Tc) 625mW (Ta) 568mW (Ta) 568mW (Ta)
RDS (Max) @Id, Vgs 150mOhm @ 1.4A, 4.5V 150mOhm @ 1.5A, 4.5V 150mOhm @ 1.7A, 4.5V 150mOhm @ 1.7A, 4.5V
VGS (th) (Max) @Id 800mV @ 250µA 1.3V @ 250µA 600mV @ 250µA (Min) 600mV @ 250µA (Min)

SI1317DL-T1-GE3 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF SI1317DL-T1-GE3 y la documentación Vishay Siliconix para SI1317DL-T1-GE3 - Vishay Siliconix.

Información ambiental
Material Compliance.pdf
Hojas de datos
Si1317DL.pdf

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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