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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaHAT2166H-EL-E
Renesas Electronics America Inc
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

HAT2166H-EL-E - Renesas Electronics America Inc

Fabricante Número de pieza
HAT2166H-EL-E
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Allelco Número de pieza
32D-HAT2166H-EL-E
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK
Descripción detallada
Embalaje
SC-100, SOT-669
Ficha de datos
HAT2166H-EL-E.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 3610

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas HAT2166H-EL-E
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Renesas Electronics America Inc - HAT2166H-EL-E con especificaciones similares a Renesas Electronics America Inc - HAT2166H-EL-E

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Renesas Electronics Corporation  
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo LFPAK  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 3.8mOhm @ 22.5A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 25W (Tc)  
Paquete / Cubierta SC-100, SOT-669  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4400 pF @ 10 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 27 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 45A (Ta)  
Número de producto base HAT2166  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Renesas Electronics America Inc HAT2166H-EL-E

Atributo del producto HAT2166H-EL-E HAT2165N-EL-E HAT2165H-EL-E HAT2168H-EL-E
Número de pieza HAT2166H-EL-E HAT2165N-EL-E HAT2165H-EL-E HAT2168H-EL-E
Fabricante Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc
La disipación de energía (máximo) 25W (Tc) 30W (Tc) 30W (Tc) 15W (Tc)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 27 nC @ 4.5 V 33 nC @ 4.5 V 33 nC @ 4.5 V 11 nC @ 4.5 V
RDS (Max) @Id, Vgs 3.8mOhm @ 22.5A, 10V 3.6mOhm @ 27.5A, 10V 3.3mOhm @ 27.5A, 10V 7.9mOhm @ 15A, 10V
Característica de FET - - - -
Paquete del dispositivo LFPAK 8-LFPAK-iV LFPAK LFPAK
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paquete Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V 30 V 30 V 30 V
Paquete / Cubierta SC-100, SOT-669 8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width) SC-100, SOT-669 SC-100, SOT-669
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 1mA - 2.5V @ 1mA -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V - 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Número de producto base HAT2166 - - HAT2168
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 45A (Ta) 55A (Ta) 55A (Ta) 30A (Ta)
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4400 pF @ 10 V 5180 pF @ 10 V 5180 pF @ 10 V 1730 pF @ 10 V
Serie - - - -

HAT2166H-EL-E Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF HAT2166H-EL-E y la documentación Renesas Electronics America Inc para HAT2166H-EL-E - Renesas Electronics America Inc.

Embalaje de PCN
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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