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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaHAT2165H-EL-E
Renesas Electronics America Inc
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

HAT2165H-EL-E - Renesas Electronics America Inc

Fabricante Número de pieza
HAT2165H-EL-E
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Allelco Número de pieza
32D-HAT2165H-EL-E
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK
Descripción detallada
Embalaje
SC-100, SOT-669
Ficha de datos
HAT2165H-EL-E.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 5430

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas HAT2165H-EL-E
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Renesas Electronics America Inc - HAT2165H-EL-E con especificaciones similares a Renesas Electronics America Inc - HAT2165H-EL-E

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Renesas Electronics Corporation  
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo LFPAK  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 3.3mOhm @ 27.5A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 30W (Tc)  
Paquete / Cubierta SC-100, SOT-669  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5180 pF @ 10 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 33 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 55A (Ta)  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Renesas Electronics America Inc HAT2165H-EL-E

Atributo del producto HAT2165H-EL-E HAT2164H-EL-E HAT2166H-EL-E HAT2160H-EL-E
Número de pieza HAT2165H-EL-E HAT2164H-EL-E HAT2166H-EL-E HAT2160H-EL-E
Fabricante Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc
Característica de FET - - - -
Paquete del dispositivo LFPAK LFPAK LFPAK LFPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 55A (Ta) 60A (Ta) 45A (Ta) 60A (Ta)
Serie - - - -
RDS (Max) @Id, Vgs 3.3mOhm @ 27.5A, 10V 3.1mOhm @ 30A, 10V 3.8mOhm @ 22.5A, 10V 2.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V 30 V 30 V 20 V
Paquete / Cubierta SC-100, SOT-669 SC-100, SOT-669 SC-100, SOT-669 SC-100, SOT-669
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La disipación de energía (máximo) 30W (Tc) 30W (Tc) 25W (Tc) 30W (Tc)
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 1mA - 2.5V @ 1mA 2.3V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 33 nC @ 4.5 V 50 nC @ 4.5 V 27 nC @ 4.5 V 54 nC @ 4.5 V
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5180 pF @ 10 V 7600 pF @ 10 V 4400 pF @ 10 V 7750 pF @ 10 V

HAT2165H-EL-E Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF HAT2165H-EL-E y la documentación Renesas Electronics America Inc para HAT2165H-EL-E - Renesas Electronics America Inc.

Embalaje de PCN
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf
PCN obsolescencia/ EOL
DK OBS NOTICE.pdf

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Coste de envío

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Método de entrega

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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