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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaRV2C014BCT2CL
Rohm Semiconductor
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

RV2C014BCT2CL - Rohm Semiconductor

Fabricante Número de pieza
RV2C014BCT2CL
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Número de pieza
32D-RV2C014BCT2CL
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET P-CH 20V 700MA DFN1006-3
Descripción detallada
Embalaje
3-XFDFN
Ficha de datos
RV2C014BCT2CL.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 392050

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas RV2C014BCT2CL
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Rohm Semiconductor - RV2C014BCT2CL con especificaciones similares a Rohm Semiconductor - RV2C014BCT2CL

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 100µA  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo DFN1006-3  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 300mOhm @ 1.4A, 4.5V  
La disipación de energía (máximo) 400mW (Ta)  
Paquete / Cubierta 3-XFDFN  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 100 pF @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 700mA (Ta)  
Número de producto base RV2C014  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Rohm Semiconductor RV2C014BCT2CL

Atributo del producto RV2C014BCT2CL RV2C010UNT2L RV2C002UNT2L RV2C001ZPT2L
Número de pieza RV2C014BCT2CL RV2C010UNT2L RV2C002UNT2L RV2C001ZPT2L
Fabricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 1.2V, 4.5V 1.2V, 4.5V 1.2V, 4.5V
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V 20 V 20 V 20 V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
La disipación de energía (máximo) 400mW (Ta) 400mW (Ta) 100mW (Ta) 100mW (Ta)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 100 pF @ 10 V 40 pF @ 10 V 12 pF @ 10 V 15 pF @ 10 V
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±8V ±8V ±10V ±10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 700mA (Ta) 1A (Ta) 180mA (Ta) 100mA (Ta)
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 100µA 1V @ 1mA 1V @ 100µA 1V @ 100µA
Número de producto base RV2C014 RV2C010 RV2C002 RV2C001
Serie - - - -
Paquete / Cubierta 3-XFDFN SC-101, SOT-883 SC-101, SOT-883 SC-101, SOT-883
Característica de FET - - - -
Paquete del dispositivo DFN1006-3 VML1006 VML1006 VML1006
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RDS (Max) @Id, Vgs 300mOhm @ 1.4A, 4.5V 470mOhm @ 500mA, 4.5V 2Ohm @ 150mA, 4.5V 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V

RV2C014BCT2CL Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF RV2C014BCT2CL y la documentación Rohm Semiconductor para RV2C014BCT2CL - Rohm Semiconductor.

Otros documentos relacionados
Transistor, MOSFET Flammability.pdf
Información ambiental
Transistor Whisker Info.pdf Transistor, MOSFET Level 1 MSL.pdf

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Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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