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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaRV2C010UNT2L
Rohm Semiconductor
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

RV2C010UNT2L - Rohm Semiconductor

Fabricante Número de pieza
RV2C010UNT2L
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Número de pieza
32D-RV2C010UNT2L
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
Descripción detallada
Embalaje
SC-101, SOT-883
Ficha de datos
RV2C010UNT2L.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 518100

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas RV2C010UNT2L
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Rohm Semiconductor - RV2C010UNT2L con especificaciones similares a Rohm Semiconductor - RV2C010UNT2L

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 1mA  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo VML1006  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 470mOhm @ 500mA, 4.5V  
La disipación de energía (máximo) 400mW (Ta)  
Paquete / Cubierta SC-101, SOT-883  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 40 pF @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 1A (Ta)  
Número de producto base RV2C010  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Rohm Semiconductor RV2C010UNT2L

Atributo del producto RV2C010UNT2L RV2C002UNT2L RV2C014BCT2CL RV2C001ZPT2L
Número de pieza RV2C010UNT2L RV2C002UNT2L RV2C014BCT2CL RV2C001ZPT2L
Fabricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 1A (Ta) 180mA (Ta) 700mA (Ta) 100mA (Ta)
Paquete / Cubierta SC-101, SOT-883 SC-101, SOT-883 3-XFDFN SC-101, SOT-883
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V 1.2V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.2V, 4.5V
RDS (Max) @Id, Vgs 470mOhm @ 500mA, 4.5V 2Ohm @ 150mA, 4.5V 300mOhm @ 1.4A, 4.5V 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Serie - - - -
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V 20 V 20 V 20 V
Número de producto base RV2C010 RV2C002 RV2C014 RV2C001
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 1mA 1V @ 100µA 1V @ 100µA 1V @ 100µA
Característica de FET - - - -
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Paquete del dispositivo VML1006 VML1006 DFN1006-3 VML1006
Tipo FET N-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Vgs (Max) ±8V ±10V ±8V ±10V
La disipación de energía (máximo) 400mW (Ta) 100mW (Ta) 400mW (Ta) 100mW (Ta)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 40 pF @ 10 V 12 pF @ 10 V 100 pF @ 10 V 15 pF @ 10 V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

RV2C010UNT2L Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF RV2C010UNT2L y la documentación Rohm Semiconductor para RV2C010UNT2L - Rohm Semiconductor.

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Información ambiental
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Región País Hora logística (día)
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Europa Alemania 5
Reino Unido 4
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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