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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaRV1C002UNT2CL
Rohm Semiconductor
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

RV1C002UNT2CL - Rohm Semiconductor

Fabricante Número de pieza
RV1C002UNT2CL
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Número de pieza
32D-RV1C002UNT2CL
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 20V 150MA VML0806
Descripción detallada
Embalaje
3-SMD, No Lead
Ficha de datos
RV1C002UNT2CL.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 436900

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas RV1C002UNT2CL
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Rohm Semiconductor - RV1C002UNT2CL con especificaciones similares a Rohm Semiconductor - RV1C002UNT2CL

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 100µA  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo VML0806  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 2Ohm @ 150mA, 4.5V  
La disipación de energía (máximo) 100mW (Ta)  
Paquete / Cubierta 3-SMD, No Lead  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 12 pF @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 150mA (Ta)  
Número de producto base RV1C002  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Rohm Semiconductor RV1C002UNT2CL

Atributo del producto RV1C002UNT2CL G1003B RV1C001ZPT2L SIHP8N50D-GE3
Número de pieza RV1C002UNT2CL G1003B RV1C001ZPT2L SIHP8N50D-GE3
Fabricante Rohm Semiconductor Goford Semiconductor Rohm Semiconductor Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±8V ±20V ±10V ±30V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V 100 V 20 V 500 V
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 12 pF @ 10 V 760 pF @ 50 V 15 pF @ 10 V 527 pF @ 100 V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V - 1.2V, 4.5V 10V
Serie - - - -
RDS (Max) @Id, Vgs 2Ohm @ 150mA, 4.5V 130mOhm @ 1A, 10V 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V 850mOhm @ 4A, 10V
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 100µA 2V @ 250µA 1V @ 100µA 5V @ 250µA
Paquete del dispositivo VML0806 SOT-23-3L VML0806 TO-220AB
Característica de FET - - - -
Paquete / Cubierta 3-SMD, No Lead TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 3-SMD, No Lead TO-220-3
Tipo FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Número de producto base RV1C002 - RV1C001 SIHP8
La disipación de energía (máximo) 100mW (Ta) 3.3W 100mW (Ta) 156W (Tc)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 150mA (Ta) 3A 100mA (Ta) 8.7A (Tc)

RV1C002UNT2CL Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF RV1C002UNT2CL y la documentación Rohm Semiconductor para RV1C002UNT2CL - Rohm Semiconductor.

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Información ambiental
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Región País Hora logística (día)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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