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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaRV1C001ZPT2L
Rohm Semiconductor
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

RV1C001ZPT2L - Rohm Semiconductor

Fabricante Número de pieza
RV1C001ZPT2L
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Número de pieza
32D-RV1C001ZPT2L
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET P-CH 20V 100MA VML0806
Descripción detallada
Embalaje
3-SMD, No Lead
Ficha de datos
RV1C001ZPT2L.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 609750

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas RV1C001ZPT2L
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Rohm Semiconductor - RV1C001ZPT2L con especificaciones similares a Rohm Semiconductor - RV1C001ZPT2L

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 100µA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo VML0806  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V  
La disipación de energía (máximo) 100mW (Ta)  
Paquete / Cubierta 3-SMD, No Lead  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 15 pF @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 100mA (Ta)  
Número de producto base RV1C001  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Rohm Semiconductor RV1C001ZPT2L

Atributo del producto RV1C001ZPT2L FQA65N20 FDT461N RV1C002UNT2CL
Número de pieza RV1C001ZPT2L FQA65N20 FDT461N RV1C002UNT2CL
Fabricante Rohm Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Rohm Semiconductor
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 100µA 5V @ 250µA 2V @ 250µA 1V @ 100µA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 100mA (Ta) 65A (Tc) 540mA (Ta) 150mA (Ta)
Paquete del dispositivo VML0806 TO-3PN SOT-223-4 VML0806
Paquete / Cubierta 3-SMD, No Lead TO-3P-3, SC-65-3 TO-261-4, TO-261AA 3-SMD, No Lead
Vgs (Max) ±10V ±30V ±20V ±8V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 15 pF @ 10 V 7900 pF @ 25 V 74 pF @ 25 V 12 pF @ 10 V
Serie - QFET® PowerTrench® -
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
La disipación de energía (máximo) 100mW (Ta) 310W (Tc) 1.13W (Ta) 100mW (Ta)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V 200 V 100 V 20 V
Tipo de montaje Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
RDS (Max) @Id, Vgs 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V 32mOhm @ 32.5A, 10V 2Ohm @ 540mA, 10V 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V 10V 4.5V, 10V 1.2V, 4.5V
Número de producto base RV1C001 - - RV1C002
Característica de FET - - - -
Paquete Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)

RV1C001ZPT2L Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF RV1C001ZPT2L y la documentación Rohm Semiconductor para RV1C001ZPT2L - Rohm Semiconductor.

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Información ambiental
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Región País Hora logística (día)
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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