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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaRQ3E120GNTB
Rohm Semiconductor
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

RQ3E120GNTB - Rohm Semiconductor

Fabricante Número de pieza
RQ3E120GNTB
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Número de pieza
32D-RQ3E120GNTB
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
Descripción detallada
Embalaje
8-PowerVDFN
Ficha de datos
RQ3E120GNTB.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 219570

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas RQ3E120GNTB
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Rohm Semiconductor - RQ3E120GNTB con especificaciones similares a Rohm Semiconductor - RQ3E120GNTB

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo 8-HSMT (3.2x3)  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 8.8mOhm @ 12A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 2W (Ta), 16W (Tc)  
Paquete / Cubierta 8-PowerVDFN  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 590 pF @ 15 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 10 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta)  
Número de producto base RQ3E120  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Rohm Semiconductor RQ3E120GNTB

Atributo del producto RQ3E120GNTB RQ3E150BNTB RQ3E120ATTB RQ3E160ADTB
Número de pieza RQ3E120GNTB RQ3E150BNTB RQ3E120ATTB RQ3E160ADTB
Fabricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Paquete / Cubierta 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
La disipación de energía (máximo) 2W (Ta), 16W (Tc) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta)
Número de producto base RQ3E120 RQ3E150 RQ3E120 RQ3E160
RDS (Max) @Id, Vgs 8.8mOhm @ 12A, 10V 5.3mOhm @ 15A, 10V 8mOhm @ 12A, 10V 4.5mOhm @ 16A, 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta) 15A (Ta) 12A (Ta) 16A (Ta)
Tipo FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 590 pF @ 15 V 3000 pF @ 15 V 3200 pF @ 15 V 2550 pF @ 15 V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 10 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 62 nC @ 10 V 51 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V 30 V 30 V 30 V
Paquete del dispositivo 8-HSMT (3.2x3) 8-HSMT (3.2x3) 8-HSMT (3.2x3) 8-HSMT (3.2x3)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Característica de FET - - - -
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - - - -

RQ3E120GNTB Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF RQ3E120GNTB y la documentación Rohm Semiconductor para RQ3E120GNTB - Rohm Semiconductor.

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Región País Hora logística (día)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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