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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaRQ3E120ATTB
Rohm Semiconductor
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

RQ3E120ATTB - Rohm Semiconductor

Fabricante Número de pieza
RQ3E120ATTB
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Número de pieza
32D-RQ3E120ATTB
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT
Descripción detallada
Embalaje
8-PowerVDFN
Ficha de datos
RQ3E120ATTB.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 110760

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas RQ3E120ATTB
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Rohm Semiconductor - RQ3E120ATTB con especificaciones similares a Rohm Semiconductor - RQ3E120ATTB

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo 8-HSMT (3.2x3)  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 8mOhm @ 12A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 2W (Ta)  
Paquete / Cubierta 8-PowerVDFN  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3200 pF @ 15 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 62 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta)  
Número de producto base RQ3E120  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Rohm Semiconductor RQ3E120ATTB

Atributo del producto RQ3E120ATTB RQ3E100BNTB RQ3E130MNTB1 RQ3E150BNTB
Número de pieza RQ3E120ATTB RQ3E100BNTB RQ3E130MNTB1 RQ3E150BNTB
Fabricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paquete / Cubierta 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Número de producto base RQ3E120 RQ3E100 RQ3E130 RQ3E150
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V 30 V 30 V 30 V
RDS (Max) @Id, Vgs 8mOhm @ 12A, 10V 10.4mOhm @ 10A, 10V 8.1mOhm @ 13A, 10V 5.3mOhm @ 15A, 10V
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta) 10A (Ta) 13A (Ta) 15A (Ta)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 62 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V
Característica de FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie - - - -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
La disipación de energía (máximo) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3200 pF @ 15 V 1100 pF @ 15 V 840 pF @ 15 V 3000 pF @ 15 V
Paquete del dispositivo 8-HSMT (3.2x3) 8-HSMT (3.2x3) 8-HSMT (3.2x3) 8-HSMT (3.2x3)

RQ3E120ATTB Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF RQ3E120ATTB y la documentación Rohm Semiconductor para RQ3E120ATTB - Rohm Semiconductor.

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Región País Hora logística (día)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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