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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaRQ1E050RPTR
RQ1E050RPTR Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

RQ1E050RPTR - Rohm Semiconductor

Fabricante Número de pieza
RQ1E050RPTR
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Número de pieza
32D-RQ1E050RPTR
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8
Descripción detallada
Embalaje
8-SMD, Flat Lead
Ficha de datos
RQ1E050RPTR.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 82840

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas RQ1E050RPTR
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Rohm Semiconductor - RQ1E050RPTR con especificaciones similares a Rohm Semiconductor - RQ1E050RPTR

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TSMT8  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 31mOhm @ 5A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 700mW (Ta)  
Paquete / Cubierta 8-SMD, Flat Lead  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 10 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 28 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Ta)  
Número de producto base RQ1E050  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Rohm Semiconductor RQ1E050RPTR

Atributo del producto RQ1E050RPTR RQ1A070APTR RQ1E070RPTR RQ1A070ZPTR
Número de pieza RQ1E050RPTR RQ1A070APTR RQ1E070RPTR RQ1A070ZPTR
Fabricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 1.5V, 4.5V 4V, 10V 1.5V, 4.5V
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
RDS (Max) @Id, Vgs 31mOhm @ 5A, 10V 14mOhm @ 7A, 4.5V 17mOhm @ 7A, 10V 12mOhm @ 7A, 4.5V
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 1mA 1V @ 1mA 2.5V @ 1mA 1V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 28 nC @ 10 V 80 nC @ 4.5 V 26 nC @ 5 V 58 nC @ 4.5 V
Número de producto base RQ1E050 RQ1A070 RQ1E070 RQ1A070
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Paquete / Cubierta 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
Vgs (Max) ±20V -8V ±20V ±10V
Característica de FET - - - -
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Serie - - - -
Paquete del dispositivo TSMT8 TSMT8 TSMT8 TSMT8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Ta) 7A (Ta) 7A (Ta) 7A (Ta)
La disipación de energía (máximo) 700mW (Ta) 550mW (Ta) 550mW (Ta) 700mW (Ta)
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 10 V 7800 pF @ 6 V 2700 pF @ 10 V 7400 pF @ 6 V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V 12 V 30 V 12 V

RQ1E050RPTR Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF RQ1E050RPTR y la documentación Rohm Semiconductor para RQ1E050RPTR - Rohm Semiconductor.

Otros documentos relacionados
Transistor, MOSFET Flammability.pdf
Información ambiental
Transistor Whisker Info.pdf Transistor, MOSFET Level 1 MSL.pdf

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Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
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Japón 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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