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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaRQ1C065UNTR
RQ1C065UNTR Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

RQ1C065UNTR - Rohm Semiconductor

Fabricante Número de pieza
RQ1C065UNTR
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Número de pieza
32D-RQ1C065UNTR
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
Descripción detallada
Embalaje
8-SMD, Flat Lead
Ficha de datos
RQ1C065UNTR.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 111620

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas RQ1C065UNTR
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Rohm Semiconductor - RQ1C065UNTR con especificaciones similares a Rohm Semiconductor - RQ1C065UNTR

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 1mA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TSMT8  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 22mOhm @ 6.5A, 4.5V  
La disipación de energía (máximo) 700mW (Ta)  
Paquete / Cubierta 8-SMD, Flat Lead  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 10 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 6.5A (Ta)  
Número de producto base RQ1C065  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Rohm Semiconductor RQ1C065UNTR

Atributo del producto RQ1C065UNTR RQ1A070APTR RQ1E050RPTR RQ1A070ZPTR
Número de pieza RQ1C065UNTR RQ1A070APTR RQ1E050RPTR RQ1A070ZPTR
Fabricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Paquete / Cubierta 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 4V, 10V 1.5V, 4.5V
La disipación de energía (máximo) 700mW (Ta) 550mW (Ta) 700mW (Ta) 700mW (Ta)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V 12 V 30 V 12 V
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 1mA 1V @ 1mA 2.5V @ 1mA 1V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V 80 nC @ 4.5 V 28 nC @ 10 V 58 nC @ 4.5 V
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Característica de FET - - - -
Tipo FET N-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Vgs (Max) ±10V -8V ±20V ±10V
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paquete del dispositivo TSMT8 TSMT8 TSMT8 TSMT8
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 10 V 7800 pF @ 6 V 1300 pF @ 10 V 7400 pF @ 6 V
RDS (Max) @Id, Vgs 22mOhm @ 6.5A, 4.5V 14mOhm @ 7A, 4.5V 31mOhm @ 5A, 10V 12mOhm @ 7A, 4.5V
Número de producto base RQ1C065 RQ1A070 RQ1E050 RQ1A070
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 6.5A (Ta) 7A (Ta) 5A (Ta) 7A (Ta)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Serie - - - -
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

RQ1C065UNTR Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF RQ1C065UNTR y la documentación Rohm Semiconductor para RQ1C065UNTR - Rohm Semiconductor.

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Transistor, MOSFET Flammability.pdf
Información ambiental
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Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
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Japón 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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