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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaR6015FNX
R6015FNX Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

R6015FNX - Rohm Semiconductor

Fabricante Número de pieza
R6015FNX
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Número de pieza
32D-R6015FNX
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM
Descripción detallada
Embalaje
TO-220-3 Full Pack
Ficha de datos
R6015FNX.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 7678

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas R6015FNX
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Rohm Semiconductor - R6015FNX con especificaciones similares a Rohm Semiconductor - R6015FNX

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-220FM  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 350mOhm @ 7.5A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 50W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-220-3 Full Pack  
Paquete Bulk  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1660 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 42 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 600 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Ta)  
Número de producto base R6015  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Rohm Semiconductor R6015FNX

Atributo del producto R6015FNX R6015KNX R6018JNJGTL R6015ENX
Número de pieza R6015FNX R6015KNX R6018JNJGTL R6015ENX
Fabricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 600 V 600 V 600 V 600 V
Serie - - - -
RDS (Max) @Id, Vgs 350mOhm @ 7.5A, 10V 290mOhm @ 6.5A, 10V 286mOhm @ 9A, 15V 290mOhm @ 6.5A, 10V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 15V 10V
La disipación de energía (máximo) 50W (Tc) 60W (Tc) 220W (Tc) 40W (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±20V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1660 pF @ 25 V 1050 pF @ 25 V 1300 pF @ 100 V 910 pF @ 25 V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 42 nC @ 10 V 27.5 nC @ 10 V 42 nC @ 15 V 40 nC @ 10 V
Número de producto base R6015 R6015 R6018 R6015
Paquete Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paquete / Cubierta TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 Full Pack
Paquete del dispositivo TO-220FM TO-220FM LPTS TO-220FM
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 1mA 5V @ 1mA 7V @ 4.2mA 4V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Ta) 15A (Tc) 18A (Tc) 15A (Tc)
Característica de FET - - - -

R6015FNX Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF R6015FNX y la documentación Rohm Semiconductor para R6015FNX - Rohm Semiconductor.

Otros documentos relacionados
Transistor, MOSFET Flammability.pdf
Información ambiental
Transistor Whisker Info.pdf Transistor, MOSFET Level 1 MSL.pdf

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Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
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Nueva Zelanda 5
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Japón 4
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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