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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaR6015ENX
R6015ENX Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

R6015ENX - Rohm Semiconductor

Fabricante Número de pieza
R6015ENX
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Número de pieza
32D-R6015ENX
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 600V 15A TO220FM
Descripción detallada
Embalaje
TO-220-3 Full Pack
Ficha de datos
R6015ENX.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 17415

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas R6015ENX
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Rohm Semiconductor - R6015ENX con especificaciones similares a Rohm Semiconductor - R6015ENX

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-220FM  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 290mOhm @ 6.5A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 40W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-220-3 Full Pack  
Paquete Bulk  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 910 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 40 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 600 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Tc)  
Número de producto base R6015  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Rohm Semiconductor R6015ENX

Atributo del producto R6015ENX R6015ANX R6015KNX R6012ANX
Número de pieza R6015ENX R6015ANX R6015KNX R6012ANX
Fabricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Tc) 15A (Ta) 15A (Tc) 12A (Ta)
Serie - - - -
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 600 V 600 V 600 V 600 V
Paquete Bulk Bulk Bulk Bulk
RDS (Max) @Id, Vgs 290mOhm @ 6.5A, 10V 300mOhm @ 7.5A, 10V 290mOhm @ 6.5A, 10V 420mOhm @ 6A, 10V
Paquete / Cubierta TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 40 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V 27.5 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 1mA 4.5V @ 1mA 5V @ 1mA 4.5V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±30V
Característica de FET - - - -
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 910 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V 1050 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V
Paquete del dispositivo TO-220FM TO-220FM TO-220FM TO-220FM
La disipación de energía (máximo) 40W (Tc) 50W (Tc) 60W (Tc) 50W (Tc)
Número de producto base R6015 R6015 R6015 R6012

R6015ENX Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF R6015ENX y la documentación Rohm Semiconductor para R6015ENX - Rohm Semiconductor.

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Transistor, MOSFET Flammability.pdf
Información ambiental
Transistor Whisker Info.pdf Transistor, MOSFET Level 1 MSL.pdf

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Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
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Nueva Zelanda 5
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Japón 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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