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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIXFH14N80
IXYS
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IXFH14N80 - IXYS

Fabricante Número de pieza
IXFH14N80
Fabricante
IXYS Corporation
Allelco Número de pieza
32D-IXFH14N80
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 800V 14A TO247AD
Descripción detallada
Embalaje
TO-247-3
Ficha de datos
IXFH(14,15)N80.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 5070

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IXFH14N80
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de IXYS - IXFH14N80 con especificaciones similares a IXYS - IXFH14N80

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @Id 4.5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-247AD (IXFH)  
Serie HiPerFET™  
RDS (Max) @Id, Vgs 700mOhm @ 500mA, 10V  
La disipación de energía (máximo) 300W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-247-3  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4870 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 200 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 800 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Tc)  
Número de producto base IXFH14  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las IXYS IXFH14N80

Atributo del producto IXFH14N80 IXFH13N90 IXFH15N100 IXFH150N17T
Número de pieza IXFH14N80 IXFH13N90 IXFH15N100 IXFH150N17T
Fabricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4870 pF @ 25 V 4200 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V 9800 pF @ 25 V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Paquete Tube Tube Tube Tube
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Serie HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™ TrenchHV™
VGS (th) (Max) @Id 4.5V @ 4mA 4.5V @ 4mA 4.5V @ 4mA 5V @ 3mA
RDS (Max) @Id, Vgs 700mOhm @ 500mA, 10V 800mOhm @ 500mA, 10V 700mOhm @ 500mA, 10V 12mOhm @ 75A, 10V
Paquete / Cubierta TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 800 V 900 V 1000 V 175 V
La disipación de energía (máximo) 300W (Tc) 300W (Tc) 360W (Tc) 830W (Tc)
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Número de producto base IXFH14 IXFH13 IXFH15 IXFH150
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 200 nC @ 10 V 155 nC @ 10 V 220 nC @ 10 V 155 nC @ 10 V
Paquete del dispositivo TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Tc) 13A (Tc) 15A (Tc) 150A (Tc)
Característica de FET - - - -

IXFH14N80 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IXFH14N80 y la documentación IXYS para IXFH14N80 - IXYS.

Hojas de datos
IXFH(14,15)N80.pdf

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(Diferentes marco de tiempo / países / tamaño del paquete tiene un precio diferente).

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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