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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIXFH13N50
IXYS
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IXFH13N50 - IXYS

Fabricante Número de pieza
IXFH13N50
Fabricante
IXYS Corporation
Allelco Número de pieza
32D-IXFH13N50
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 500V 13A TO247AD
Descripción detallada
Embalaje
TO-247-3
Ficha de datos
IXFH,IXFM 13N50.pdf
Existencias disponibles: 4580

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IXFH13N50
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de IXYS - IXFH13N50 con especificaciones similares a IXYS - IXFH13N50

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-247AD (IXFH)  
Serie HiPerFET™  
RDS (Max) @Id, Vgs 400mOhm @ 6.5A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 180W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-247-3  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 120 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 500 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Tc)  
Número de producto base IXFH13  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las IXYS IXFH13N50

Atributo del producto IXFH13N50 IXFH14N100Q2 IXFH150N17T IXFH12N100F
Número de pieza IXFH13N50 IXFH14N100Q2 IXFH150N17T IXFH12N100F
Fabricante IXYS IXYS IXYS IXYS
RDS (Max) @Id, Vgs 400mOhm @ 6.5A, 10V 950mOhm @ 7A, 10V 12mOhm @ 75A, 10V 1.05Ohm @ 6A, 10V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paquete Tube Tube Tube Tube
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Tc) 14A (Tc) 150A (Tc) 12A (Tc)
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
La disipación de energía (máximo) 180W (Tc) 500W (Tc) 830W (Tc) 300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete del dispositivo TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 120 nC @ 10 V 83 nC @ 10 V 155 nC @ 10 V 77 nC @ 10 V
Serie HiPerFET™ HiPerFET™, Q2 Class TrenchHV™ HiPerFET™, F Class
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 2.5mA 5.5V @ 4mA 5V @ 3mA 5.5V @ 4mA
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 500 V 1000 V 175 V 1000 V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±20V
Característica de FET - - - -
Número de producto base IXFH13 IXFH14 IXFH150 IXFH12
Paquete / Cubierta TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 25 V 2800 pF @ 25 V 9800 pF @ 25 V 2700 pF @ 25 V

IXFH13N50 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IXFH13N50 y la documentación IXYS para IXFH13N50 - IXYS.

Hojas de datos
IXFH,IXFM 13N50.pdf

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(Diferentes marco de tiempo / países / tamaño del paquete tiene un precio diferente).

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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