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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRF1405Z
IRF1405Z Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRF1405Z - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRF1405Z
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRF1405Z
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Descripción detallada
Embalaje
TO-220-3
Ficha de datos
IRF1405Z(S,L).pdf
Existencias disponibles: 5130

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRF1405Z
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRF1405Z con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRF1405Z

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-220AB  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 4.9mOhm @ 75A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 230W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-220-3  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4780 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 180 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 55 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRF1405Z

Atributo del producto IRF1405Z IRF1405ZPBF IRF1405ZSPBF IRF1405SPBF
Número de pieza IRF1405Z IRF1405ZPBF IRF1405ZSPBF IRF1405SPBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4780 pF @ 25 V 4780 pF @ 25 V 4780 pF @ 25 V 5480 pF @ 25 V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paquete / Cubierta TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete Tube Tube Bulk Tube
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 55 V 55 V 55 V 55 V
Paquete del dispositivo TO-220AB TO-220AB PG-TO263-3-2 D2PAK
La disipación de energía (máximo) 230W (Tc) 230W (Tc) 230W (Tc) 200W (Tc)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - 10V
RDS (Max) @Id, Vgs 4.9mOhm @ 75A, 10V 4.9mOhm @ 75A, 10V 4.9mOhm @ 75A, 10V 5.3mOhm @ 101A, 10V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Característica de FET - - - -
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 180 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc) 131A (Tc)

IRF1405Z Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRF1405Z y la documentación Infineon Technologies para IRF1405Z - Infineon Technologies.

Otros documentos relacionados
IR Part Numbering System.pdf
Hojas de datos
IRF1405Z(S,L).pdf

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Coste de envío

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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