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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRF1405STRLPBF
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Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRF1405STRLPBF - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IRF1405STRLPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IRF1405STRLPBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Descripción detallada
Embalaje
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ficha de datos
IRF1405(S,L)PbF.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 18327

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRF1405STRLPBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRF1405STRLPBF con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRF1405STRLPBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo D2PAK  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 5.3mOhm @ 101A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 200W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5480 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 260 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 55 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 131A (Tc)  
Número de producto base IRF1405  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRF1405STRLPBF

Atributo del producto IRF1405STRLPBF IRF1405ZS IRF1405ZLPBF IRF1405Z
Número de pieza IRF1405STRLPBF IRF1405ZS IRF1405ZLPBF IRF1405Z
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Característica de FET - - - -
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 131A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc)
Paquete del dispositivo D2PAK D2PAK TO-262 TO-220AB
Número de producto base IRF1405 - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paquete Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
RDS (Max) @Id, Vgs 5.3mOhm @ 101A, 10V 4.9mOhm @ 75A, 10V 4.9mOhm @ 75A, 10V 4.9mOhm @ 75A, 10V
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-220-3
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5480 pF @ 25 V 4780 pF @ 25 V 4780 pF @ 25 V 4780 pF @ 25 V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 260 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
La disipación de energía (máximo) 200W (Tc) 230W (Tc) 230W (Tc) 230W (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 55 V 55 V 55 V 55 V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole

IRF1405STRLPBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRF1405STRLPBF y la documentación Infineon Technologies para IRF1405STRLPBF - Infineon Technologies.

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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