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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-matricesIPG20N06S2L35ATMA1
Infineon Technologies
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IPG20N06S2L35ATMA1 - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IPG20N06S2L35ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IPG20N06S2L35ATMA1
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Descripción detallada
Embalaje
8-PowerVDFN
Ficha de datos
IPG20N06S2L35ATMA1.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 75380

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IPG20N06S2L35ATMA1
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IPG20N06S2L35ATMA1 con especificaciones similares a Infineon Technologies - IPG20N06S2L35ATMA1

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 2V @ 27µA  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo PG-TDSON-8-4  
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™  
RDS (Max) @Id, Vgs 35mOhm @ 15A, 10V  
Potencia - Max 65W  
Paquete / Cubierta 8-PowerVDFN  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 790pF @ 25V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 23nC @ 10V  
Característica de FET Logic Level Gate  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 55V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 20A  
Configuración 2 N-Channel (Dual)  
Número de producto base IPG20N  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IPG20N06S2L35ATMA1

Atributo del producto IPG20N06S2L35ATMA1 IPG20N06S3L-35 IPG20N06S2L50ATMA1 IPG20N06S2L65AATMA1
Número de pieza IPG20N06S2L35ATMA1 IPG20N06S3L-35 IPG20N06S2L50ATMA1 IPG20N06S2L65AATMA1
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Configuración 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 55V 55V 55V 55V
Característica de FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 20A 20A 20A 20A
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount, Wettable Flank
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paquete / Cubierta 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 23nC @ 10V 23nC @ 10V 17nC @ 10V 12nC @ 10V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 790pF @ 25V 1730pF @ 25V 560pF @ 25V 410pF @ 25V
RDS (Max) @Id, Vgs 35mOhm @ 15A, 10V 35mOhm @ 11A, 10V 50mOhm @ 15A, 10V 65mOhm @ 15A, 10V
Potencia - Max 65W 30W 51W 43W
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Paquete del dispositivo PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8-10
VGS (th) (Max) @Id 2V @ 27µA 2.2V @ 15µA 2V @ 19µA 2V @ 14µA
Número de producto base IPG20N IPG20N IPG20N IPG20N

IPG20N06S2L35ATMA1 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IPG20N06S2L35ATMA1 y la documentación Infineon Technologies para IPG20N06S2L35ATMA1 - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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