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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-matricesIPG20N04S4L11ATMA1
Infineon Technologies
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IPG20N04S4L11ATMA1 - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
IPG20N04S4L11ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-IPG20N04S4L11ATMA1
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Descripción detallada
Embalaje
8-PowerVDFN
Ficha de datos
IPG20N04S4L11ATMA1.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 72390

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IPG20N04S4L11ATMA1
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IPG20N04S4L11ATMA1 con especificaciones similares a Infineon Technologies - IPG20N04S4L11ATMA1

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 2.2V @ 15µA  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo PG-TDSON-8-4  
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™  
RDS (Max) @Id, Vgs 11.6mOhm @ 17A, 10V  
Potencia - Max 41W  
Paquete / Cubierta 8-PowerVDFN  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1990pF @ 25V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 26nC @ 10V  
Característica de FET Logic Level Gate  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 40V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 20A  
Configuración 2 N-Channel (Dual)  
Número de producto base IPG20N  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IPG20N04S4L11ATMA1

Atributo del producto IPG20N04S4L11ATMA1 IPG20N06S2L35ATMA1 IPG20N06S2L50ATMA1 IPG20N04S4L08ATMA1
Número de pieza IPG20N04S4L11ATMA1 IPG20N06S2L35ATMA1 IPG20N06S2L50ATMA1 IPG20N04S4L08ATMA1
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Característica de FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Número de producto base IPG20N IPG20N IPG20N IPG20N
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Potencia - Max 41W 65W 51W 54W
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1990pF @ 25V 790pF @ 25V 560pF @ 25V 3050pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 20A 20A 20A 20A
Paquete / Cubierta 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 40V 55V 55V 40V
RDS (Max) @Id, Vgs 11.6mOhm @ 17A, 10V 35mOhm @ 15A, 10V 50mOhm @ 15A, 10V 8.2mOhm @ 17A, 10V
Paquete del dispositivo PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8-4
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 26nC @ 10V 23nC @ 10V 17nC @ 10V 39nC @ 10V
Configuración 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @Id 2.2V @ 15µA 2V @ 27µA 2V @ 19µA 2.2V @ 22µA

IPG20N04S4L11ATMA1 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IPG20N04S4L11ATMA1 y la documentación Infineon Technologies para IPG20N04S4L11ATMA1 - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
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Europa Alemania 5
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Japón 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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