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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaBSP171PL6327HTSA1
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Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.
OPCIóN EXPRESA
Método de pago

BSP171PL6327HTSA1 - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
BSP171PL6327HTSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-BSP171PL6327HTSA1
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Embalaje
TO-261-4, TO-261AA
Ficha de datos
BSP171PL6327HTSA1.pdf
Nuestra certificación
Existencias disponibles: 5100

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Cantidad
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Método de pago
Nuestra certificación

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas BSP171PL6327HTSA1
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - BSP171PL6327HTSA1 con especificaciones similares a Infineon Technologies - BSP171PL6327HTSA1

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 2V @ 460µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo PG-SOT223-4-21  
Serie SIPMOS®  
RDS (Max) @Id, Vgs 300mOhm @ 1.9A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 1.8W (Ta)  
Paquete / Cubierta TO-261-4, TO-261AA  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 460 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 1.9A (Ta)  

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estatus de alcance REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies BSP171PL6327HTSA1

Atributo del producto BSP171PL6327HTSA1 BSP171PH6327XTSA1 BSP19AT1G BSP171PL6327
Número de pieza BSP171PL6327HTSA1 BSP171PH6327XTSA1 BSP19AT1G BSP171PL6327
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies onsemi Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
La disipación de energía (máximo) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta) - -
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - -
VGS (th) (Max) @Id 2V @ 460µA 2V @ 460µA - -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 20 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V - -
Característica de FET - - - -
Tipo FET P-Channel P-Channel - -
Paquete / Cubierta TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA -
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 460 pF @ 25 V 460 pF @ 25 V - -
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V 60 V - -
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 1.9A (Ta) 1.9A (Ta) - -
Paquete del dispositivo PG-SOT223-4-21 PG-SOT223-4 SOT-223 (TO-261) -
Serie SIPMOS® SIPMOS® - -
RDS (Max) @Id, Vgs 300mOhm @ 1.9A, 10V 300mOhm @ 1.9A, 10V - -
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount -

BSP171PL6327HTSA1 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF BSP171PL6327HTSA1 y la documentación Infineon Technologies para BSP171PL6327HTSA1 - Infineon Technologies.

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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