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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaBSP171PH6327XTSA1
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Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.
OPCIóN EXPRESA
Método de pago

BSP171PH6327XTSA1 - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
BSP171PH6327XTSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-BSP171PH6327XTSA1
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Embalaje
TO-261-4, TO-261AA
Ficha de datos
BSP171PH6327XTSA1.pdf
Estado RoHS
Nuestra certificación
Existencias disponibles: 91320

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Cantidad
OPCIóN EXPRESA
Método de pago
Nuestra certificación

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas BSP171PH6327XTSA1
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - BSP171PH6327XTSA1 con especificaciones similares a Infineon Technologies - BSP171PH6327XTSA1

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 2V @ 460µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo PG-SOT223-4  
Serie SIPMOS®  
RDS (Max) @Id, Vgs 300mOhm @ 1.9A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 1.8W (Ta)  
Paquete / Cubierta TO-261-4, TO-261AA  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 460 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 1.9A (Ta)  
Número de producto base BSP171  

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estatus de alcance REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies BSP171PH6327XTSA1

Atributo del producto BSP171PH6327XTSA1 BSP171PL6327HTSA1 BSP171P MOS BSP19 MOS
Número de pieza BSP171PH6327XTSA1 BSP171PL6327HTSA1 BSP171P MOS BSP19 MOS
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Freescale / NXP Semiconductors
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V 60 V - -
La disipación de energía (máximo) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta) - -
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 460 pF @ 25 V 460 pF @ 25 V - -
Serie SIPMOS® SIPMOS® - -
VGS (th) (Max) @Id 2V @ 460µA 2V @ 460µA - -
Paquete / Cubierta TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA - -
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 1.9A (Ta) 1.9A (Ta) - -
RDS (Max) @Id, Vgs 300mOhm @ 1.9A, 10V 300mOhm @ 1.9A, 10V - -
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount - -
Paquete del dispositivo PG-SOT223-4 PG-SOT223-4-21 - -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - -
Tipo FET P-Channel P-Channel - -
Característica de FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 20 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V - -
Número de producto base BSP171 - - -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -

BSP171PH6327XTSA1 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF BSP171PH6327XTSA1 y la documentación Infineon Technologies para BSP171PH6327XTSA1 - Infineon Technologies.

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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