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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaAUIRF7769L2TR
Infineon Technologies
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

AUIRF7769L2TR - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
AUIRF7769L2TR
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-AUIRF7769L2TR
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET
Descripción detallada
Embalaje
DirectFET™ Isometric L8
Ficha de datos
AUIRF7769L2TR.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 5938

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas AUIRF7769L2TR
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - AUIRF7769L2TR con especificaciones similares a Infineon Technologies - AUIRF7769L2TR

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo DirectFET™ Isometric L8  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 3.5mOhm @ 74A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 3.3W (Ta), 125W (Tc)  
Paquete / Cubierta DirectFET™ Isometric L8  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 11560 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 300 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 375A (Tc)  
Número de producto base AUIRF7769  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies AUIRF7769L2TR

Atributo del producto AUIRF7769L2TR AUIRF7484QTR AUIRF7737L2TR AUIRF9540N
Número de pieza AUIRF7769L2TR AUIRF7484QTR AUIRF7737L2TR AUIRF9540N
Fabricante Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies International Rectifier
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® Automotive, AEC-Q101
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 375A (Tc) 14A (Ta) 31A (Ta), 156A (Tc) 23A (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Paquete Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 300 nC @ 10 V 100 nC @ 7 V 134 nC @ 10 V 97 nC @ 10 V
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V 40 V 40 V 100 V
Paquete / Cubierta DirectFET™ Isometric L8 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) DirectFET™ Isometric L6 TO-220-3
La disipación de energía (máximo) 3.3W (Ta), 125W (Tc) 2.5W (Ta) 3.3W (Ta), 83W (Tc) 140W (Tc)
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 150µA 4V @ 250µA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 11560 pF @ 25 V 3520 pF @ 25 V 5469 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 7V 10V 10V
Paquete del dispositivo DirectFET™ Isometric L8 8-SO DIRECTFET L6 TO-220
Característica de FET - - - -
RDS (Max) @Id, Vgs 3.5mOhm @ 74A, 10V 10mOhm @ 14A, 7V 1.9mOhm @ 94A, 10V 117mOhm @ 11A, 10V
Número de producto base AUIRF7769 - AUIRF7737 -
Vgs (Max) ±20V ±8V ±20V ±20V

AUIRF7769L2TR Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF AUIRF7769L2TR y la documentación Infineon Technologies para AUIRF7769L2TR - Infineon Technologies.

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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