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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaAUIRF7736M2TR
Infineon Technologies
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

AUIRF7736M2TR - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
AUIRF7736M2TR
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-AUIRF7736M2TR
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 40V 22A DIRECTFET
Descripción detallada
Embalaje
DirectFET™ Isometric M4
Ficha de datos
AUIRF7736M2TR.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 15823

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas AUIRF7736M2TR
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - AUIRF7736M2TR con especificaciones similares a Infineon Technologies - AUIRF7736M2TR

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo DirectFET™ Isometric M4  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 3mOhm @ 65A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 2.5W (Ta), 63W (Tc)  
Paquete / Cubierta DirectFET™ Isometric M4  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4267 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 108 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 40 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 22A (Ta), 108A (Tc)  
Número de producto base AUIRF7736  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies AUIRF7736M2TR

Atributo del producto AUIRF7736M2TR AUIRF7732S2TR AUIRF7478QTR AUIRF7675M2TR
Número de pieza AUIRF7736M2TR AUIRF7732S2TR AUIRF7478QTR AUIRF7675M2TR
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Característica de FET - - - -
La disipación de energía (máximo) 2.5W (Ta), 63W (Tc) 2.5W (Ta), 41W (Tc) 2.5W (Ta) 2.7W (Ta), 45W (Tc)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 108 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 31 nC @ 4.5 V 32 nC @ 10 V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 22A (Ta), 108A (Tc) 14A (Ta) 7A (Ta) 4.4A (Ta), 18A (Tc)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4267 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V 1740 pF @ 25 V 1360 pF @ 25 V
Paquete / Cubierta DirectFET™ Isometric M4 DirectFET™ Isometric SC 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) DirectFET™ Isometric M2
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 40 V 40 V 60 V 150 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Número de producto base AUIRF7736 AUIRF7732 - AUIRF7675
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 150µA 4V @ 50µA 3V @ 250µA 5V @ 100µA
Paquete del dispositivo DirectFET™ Isometric M4 DIRECTFET™ SC 8-SO DirectFET™ Isometric M2
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 4.5V, 10V 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
RDS (Max) @Id, Vgs 3mOhm @ 65A, 10V 6.95mOhm @ 33A, 10V 26mOhm @ 4.2A, 10V 56mOhm @ 11A, 10V

AUIRF7736M2TR Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF AUIRF7736M2TR y la documentación Infineon Technologies para AUIRF7736M2TR - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
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Europa Alemania 5
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Italia 5
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Nueva Zelanda 5
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Japón 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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