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STP55NF06 Guía de potencia MOSFET: pinout, especificaciones y alternativas

En este artículo, nos sumergimos en las capacidades y aplicaciones del MOSFET STP55NF06, un sólido MOSFET de potencia del canal N bien considerado por su eficiencia y adaptabilidad en los circuitos de alta demanda.Conocido por su baja velocidad en resistencia y conmutación rápida, este MOSFET es un activo en sistemas sensibles a la potencia, como controladores de motor y suministros de alimentación.Con la capacidad de manejar un voltaje de fuente de drenaje de 60 V y corrientes continuas de hasta 55a, el STP55NF06 es ideal para aplicaciones intensivas en energía, que ofrece una gestión térmica eficiente y confiabilidad en diversas condiciones de funcionamiento.Desde sistemas automotrices hasta aplicaciones de energía renovable, el diseño versátil de STP55NF06 MOSFET permite un rendimiento mejorado, eficiencia energética y una mayor longevidad del sistema.

Catalogar

Comprender el STP55NF06

El STP55NF06 es un MOSFET altamente capaz de canal N, notable para manejar flujos de corriente considerables y permitir acciones de conmutación rápida.Demuestra una eficiencia impresionante debido a su baja resistencia.El dispositivo comienza la conducción con un voltaje de puerta de 10 V y alcanza la máxima eficiencia a 20 V, posicionándola como un fuerte candidato para operar cargas de alta potencia.Su umbral de puerta de 4V garantiza que funcione bien con los microcontroladores, pero logra lo mejor de 10 V, lo que respalda la corriente continua de hasta 27A.Para integrarse suavemente con los microcontroladores, es recomendable la participación de un circuito de controlador o un MOSFET de nivel lógico, como el 2N7002.La respuesta de frecuencia encomiable del dispositivo hace que sea adecuada para los convertidores DC-DC.

En aplicaciones que involucran MOSFET como el STP55NF06, se requiere a tierra la puerta correctamente para evitar la activación no deseada.Dado que los MOSFET se activan y desactivan según el voltaje, el dominio de la gestión del voltaje se vuelve insistente.A menudo, puede incorporar medidas de protección adicionales como diodos Zener para estabilizar el voltaje de la puerta y proteger contra sobretensiones de voltaje.

La integración exitosa con los microcontroladores requiere la implementación estratégica de circuitos de controladores.Estos circuitos abordan las diferencias entre el voltaje de salida del microcontrolador y las demandas de puerta de MOSFET.Un enfoque común emplea un controlador de cambio de nivel para cerrar esta brecha, asegurando una interacción perfecta entre los componentes.

Configuración de pin

Modelo CAD

Símbolo

Huella

Modelo 3D

Características

Característica	Especificación
Tipo MOSFET	N-canal
Corriente de drenaje continuo (ID)	35a
Corriente de drenaje pulsado (ID-Peak)	50A
Voltaje de desglose de drenaje a fuente (VDS)	60V
Resistencia a la fuente de drenaje (RDS)	0.018 Ω
Voltaje de umbral de puerta (VGS-th)	20V (máximo)
Tiempo de elevación	50 ns
Tiempo de caída	15 ns
Capacitancia de entrada (CISS)	1300 pf
Capacitancia de salida (COSS)	300 pf
Tipo de paquete	A 220

Aplicaciones

Dirección asistente eléctrica (EPS)

Los sistemas de dirección asistida eléctrica en vehículos modernos mejoran tanto la precisión como la comodidad en la conducción.El STP55NF06 MOSFET juega un papel notable en la optimización del uso de potencia y el tiempo de respuesta, lo que contribuye a estas mejoras.Los conductores a menudo informan una reducción tangible en el consumo de combustible, ya que los sistemas EPS dibujan energía selectivamente, lo que afecta significativamente la eficiencia del vehículo.

Sistema de frenado antibloqueo (ABS)

Dentro de ABS, el STP55NF06 proporciona conmutación rápida y eficiente, utilizada para un control de frenado óptimo.Su resiliencia de alta temperatura y su capacidad de cambio rápida son especialmente beneficiosos en emergencias.Las pruebas demuestran constantemente una mejor seguridad al prevenir el bloqueo de la rueda, confirmando su efectividad.

Sistemas de control de limpiaparabrisas

En los sistemas de control de limpiaparabrisas, el STP55NF06 es básico para operaciones precisas y confiables en diversas condiciones climáticas.Su capacidad para manejar cargas variables con una pérdida de potencia mínima asegura un limpieza eficiente del parabrisas.Las pruebas extensas en climas diversos demuestran su eficacia para mejorar la visibilidad y la seguridad del conductor.

Sistemas de control climático

El STP55NF06 impulsa motores y compresores en sistemas de control climático con una eficiencia excepcional, lo que permite un manejo preciso de la temperatura dentro de los vehículos.Las capacidades de ahorro de energía de este Mosfet reducen el consumo general de energía del vehículo.Las aplicaciones prácticas muestran su papel en el mantenimiento de la comodidad al tiempo que prolonga la duración de la batería.

Mecanismos de puerta eléctrica

Los sistemas de puertas eléctricas aprovechan el rendimiento constante del STP55NF06 para operaciones suaves y confiables.La durabilidad del MOSFET en los ciclos repetidos asegura la longevidad y minimiza el mantenimiento.La retroalimentación de campo resalta menos fallas, lo que lleva a una mayor satisfacción del consumidor y confianza en las puertas automatizadas.

Circuito de prueba

STP55NF06 - Examinar los tiempos de conmutación con carga resistiva

STP55NF06 - Investigación de la dinámica de carga de la puerta

Aprovechando el STP55NF06 MOSFET

El STP55NF06 MOSFET funciona de manera eficiente con demandas de voltaje modestas, iniciando una operación alrededor de 4V.Esta característica se alinea bien con las aplicaciones que requieren voltajes más bajos.Cuando se vincula a VCC, la puerta provoca conducción;Cierre a tierra detiene la corriente.Si el voltaje de la puerta cae por debajo de 4V, la conducción se detiene.Una resistencia desplegable, típicamente cerca de 10k, asegura que la puerta permanezca conectada a tierra cuando está inactiva, reforzando la confiabilidad.

En aplicaciones prácticas, la gestión de voltaje de puerta estable surge como influyente para el rendimiento.En escenarios que exigen precisión, la integración de los mecanismos de retroalimentación puede refinar las operaciones, lo que permite a los sistemas mantener la funcionalidad deseada en medio de condiciones fluctuantes.

Implementación de circuito

Para mantener el MOSFET activado, la puerta se conecta al voltaje de suministro.Si el voltaje se desliza por debajo de 4V, el dispositivo ingresa a la región óhmica, deteniendo la conducción.Una resistencia desplegable, como una resistencia de 10k, estabiliza el circuito manteniendo la puerta en tierra cuando no está activa, reduciendo los riesgos de activación involuntaria de cambios de voltaje repentino.

Especificaciones técnicas

Tipo	Parámetro
Estado del ciclo de vida	Activo (último actualizado: hace 8 meses)
Tiempo de entrega de fábrica	12 semanas
Montar	A través del agujero
Tipo de montaje	A través del agujero
Paquete / estuche	A 220-3
Número de alfileres	3
Peso	4.535924g
Material del elemento transistor	SILICIO
Actual - drenaje continuo (id) @ 25 ℃	50A TC
Voltaje de accionamiento (máximo rds encendido, min rds encendido)	10V
Número de elementos	1
Disipación de potencia (Max)	110W TC
Desactivar el tiempo de retraso	36 ns
Temperatura de funcionamiento	-55 ° C ~ 175 ° C TJ
Embalaje	Tubo
Serie	Stripfet ™ II
Código JESD-609	E3
Estatus de parte	Activo
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL)	1 (ilimitado)
Número de terminaciones	3
Código ECCN	EAR99
Resistencia	18mohm
Acabado terminal	Lata mate (sn)
Voltaje - DC clasificado	60V
Calificación actual	50A
Número de pieza base	Stp55n
Recuento de alfileres	3
Configuración de elementos	Soltero
Modo de funcionamiento	Modo de mejora
Disipación de potencia	30W
Activar el tiempo de retraso	20 ns
Tipo de FET	N-canal
Aplicación de transistor	TRASPUESTA
Rds on (max) @ id, VGS	18m Ω @ 27.5a, 10V
VGS (th) (max) @ id	4V @ 250μA
Capacitancia de entrada (CISS) (max) @ vds	1300pf @ 25V
CARGA DE GATE (QG) (MAX) @ VGS	60nc @ 10V
Tiempo de elevación	50ns
VGS (Max)	± 20V
Tiempo de otoño (typ)	15 ns
Corriente de drenaje continuo (ID)	50A
Tensión umbral	3V
Código JEDEC-95	A 220B
Voltaje de puerta a fuente (VGS)	20V
Drene la corriente-max (ABS) (ID)	55a
Voltaje de desglose de drenaje a fuente	60V
Drenaje pulsado Corriente-Max (IDM)	200a
Voltaje de suministro dual	60V
VGS nominal	3 V
Altura	9.15 mm
Longitud	10.4 mm
Ancho	4.6 mm
Llegar a SVHC	Sin SVHC
Endurecimiento por radiación	No
Estado de ROHS	ROHS3 Cumplante
Plomo libre	Plomo libre

Componentes comparables

Número de parte	Fabricante	Montar	Paquete / estuche	Corriente de drenaje continuo (IDENTIFICACIÓN)	Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25 ° C	Tensión umbral	Voltaje de puerta a fuente (VGS)	Disipación de potencia	Disipación de potencia-max
STP55NF06	Stmicroelectronics	A través del agujero	A 220-3	50 A	50A (TC)	3 V	20 V	30 W	110W (TC)
STP65NF06	Stmicroelectronics	A través del agujero	A 220-3	60 A	60A (TC)	1 V	15 V	110 W	110W (TC)
STP60NF06L	Stmicroelectronics	A través del agujero	A 220-3	55 A	55A (TC)	2 V	25 V	114 W	114W (TC)
STP60NF06	Stmicroelectronics	A través del agujero	A 220-3	60 A	60A (TC)	4 V	20 V	110 W	110W (TC)
FDP55N06	En semiconductor	-	A 220-3	-	60A (TC)	-	-	-	110W (TC)

Paquete

Descripción general del fabricante

Stmicroelectronics lidera en soluciones de semiconductores, que muestra un profundo conocimiento en silicio y sistemas.Esta experiencia los empuja hacia adelante en la tecnología de avance del sistema en chip (SOC), alineándose con los avances tecnológicos modernos.Su dominio de silicio crea soluciones de alto rendimiento y eficientes en energía requeridas para diversas aplicaciones.Desde la electrónica de consumo hasta los dispositivos industriales, estas soluciones impulsan la rápida evolución de las tecnologías conectadas, cumpliendo con la sed de innovaciones más inteligentes y sostenibles.

Stmicroelectronics juega un papel notable en la tecnología SOC al integrar las funciones en un solo chip, optimizar el rendimiento y reducir los costos.Esto satisface la demanda de productos electrónicos eficientes, compactos y versátiles.Los sectores automotrices y de IoT muestran principalmente el impacto de la compañía en la transformación de las industrias.El sector semiconductor prospera con una innovación y adaptación implacables.Empresas como STMicroelectronics fomentan la interoperabilidad de dispositivos sin problemas a través de la colaboración e integración, adaptándose a los avances al tiempo que garantizan la confiabilidad y el rendimiento.Sus estrategias adaptativas y su ethos colaborativos ofrecen un modelo sutil para las mejores prácticas de la industria.

Hoja de datos pdf

STP55NF06 Hojas de datos:

Stx55nf06 (-1, fp) .pdf

STP65NF06 Hojas de datos:

STD65NF06, STP65NF06.PDF

STP60NF06L HOJAS DE DATOS:

STX60NF06L (FP) .pdf

STP60NF06 Hojas de datos:

Stp60nf06.pdf

FDP55N06 HOJAS DE DATOS:

To220b03 pkg dibujo.pdf

FDP55N06, FDPF55N06.PDF