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IRLML2502 MOSFET: Características, aplicaciones y especificaciones

El IRLML2502 es un MOSFET de canal N versátil y eficiente que se usa comúnmente en una amplia gama de aplicaciones electrónicas.Está diseñado para ofrecer una resistencia ultra baja, conmutación rápida y rendimiento confiable incluso en diseños compactos.Ya sea que esté trabajando en dispositivos con baterías, sistemas de iluminación o controles de motor, este MOSFET se adapta bien a los entornos donde el espacio es limitado y el rendimiento es una prioridad.En este artículo, explorará sus características, especificaciones y aplicaciones prácticas, ayudándole a comprender cómo este componente puede mejorar sus proyectos.

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Descripción general de IRLML2502

IRLML2502 está diseñado con un enfoque en la eficiencia y la confiabilidad.Ofrece una resistencia en la resistencia ultra baja, lo que lo hace perfecto para situaciones en las que reducir la pérdida de potencia es una prioridad.Este MOSFET de canal N se usa comúnmente en aplicaciones que requieren un cambio rápido y un rendimiento estable en diversas condiciones.La tecnología avanzada detrás de este componente asegura que funcione bien, incluso en diseños compactos, gracias a su pequeña huella.La construcción resistente del MOSFET le permite manejar entornos exigentes, proporcionando un rendimiento constante en una gama de aplicaciones.

Su paquete Compact Micro3 ™ es particularmente útil para situaciones en las que el espacio es apretado.Si está trabajando en un proyecto donde el espacio es limitado, como en la electrónica portátil o las tarjetas PCMCIA, este MOSFET podría ser un ajuste ideal.El bajo perfil del paquete facilita la integración en dispositivos delgados mientras mantiene una buena administración térmica, lo que ayuda a mantener el dispositivo fresco y operativo con el tiempo.

Configuración de pin IRLML2502

Modelos de diseño CAD IRLML2502

Símbolo IRLML2502

Huella de IRLML2502

IRLML2502 Modelo 3D

Características de IRLML2502

Ultra bajo en resistencia

Este MOSFET está diseñado con una resistencia en la resistencia ultra baja, que ayuda a reducir la pérdida de energía durante la operación.Encontrará esto útil cuando trabaje en proyectos que necesitan una gestión de energía eficiente.

Mosfet de canal N

El IRLML2502 es un MOSFET de canal N, lo que significa que controla la corriente aplicando un voltaje positivo a la puerta.Este tipo de MOSFET se usa ampliamente para conmutación y amplificación en varios circuitos.

SOT-23 Huella

Su pequeña huella SOT-23 facilita la integración en diseños compactos.Esto es especialmente útil si está trabajando con aplicaciones con restricciones espaciales o necesita un componente liviano.

Perfil bajo (<1.1mm)

Con un perfil bajo de menos de 1.1 mm, este MOSFET se ajusta bien a los dispositivos delgados.Esta característica es ideal para la electrónica y aplicaciones portátiles donde importa cada parte del espacio.

Disponible en cinta y carrete

El IRLML2502 está disponible en cinta y embalaje de carrete, lo que lo hace conveniente para las líneas de producción automatizadas.Esto garantiza la facilidad de manejo y colocación durante la fabricación.

Conmutación rápida

La capacidad de conmutación rápida del MOSFET permite transiciones rápidas entre los estados de encendido y apagado.Encontrará esta característica valiosa cuando trabaje en circuitos que requieren operaciones de alta velocidad.

Estructura celular plana para SOA ancho

Utiliza una estructura celular plana que mejora su área operativa segura (SOA).Esto garantiza una operación confiable en diferentes condiciones, lo que le ayuda a evitar daños potenciales por corrientes o voltajes excesivos.

Optimizado para una amplia disponibilidad de socios de distribución

Este MOSFET está ampliamente disponible a través de socios de distribución, lo que significa que no tendrá problemas para obtenerlo para sus proyectos.Es una elección confiable con amplia disponibilidad.

Calificación del producto según JEDEC Standard

El IRLML2502 se ha calificado después de los estándares JEDEC, por lo que puede confiar en su confiabilidad y desempeño para el uso a largo plazo en varias aplicaciones.

Silicon optimizado para aplicaciones que se cambian a continuación <100kHz

Su diseño de silicio está optimizado para aplicaciones que requieren cambiar por debajo de 100 kHz.Esto lo convierte en una excelente opción para circuitos de conmutación de menor frecuencia.

Paquete de montaje en superficie estándar de la industria

El IRLML2502 viene en un paquete de montaje en superficie estándar de la industria, lo que facilita trabajar en la mayoría de los diseños, asegurando la compatibilidad con los sistemas y componentes existentes.

IRLML2502 Especificaciones importantes

Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y piezas comparables para IRLML2502TR de Infineon Technologies.

Tipo	Parámetro
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / estuche	TO36-3, SC-59, SOT-23-3
Montaje en superficie	Sí
Material del elemento transistor	Silicio
Actual - drenaje continuo (id) @ 25 ℃	4.2A TA
Número de elementos	1
Temperatura de funcionamiento (máx.)	150 ° C
Embalaje	Cinta de corte (CT)
Serie	Hexfet®
Publicado	2003
Código JESD-609	E3
Estatus de parte	Interrumpido
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL)	1 (ilimitado)
Número de terminaciones	3
Código ECCN	EAR99
Acabado terminal	Lata mate (sn)
Característica adicional	Alta fiabilidad
Posición terminal	DUAL
Forma terminal	Ala de la gaviota
Temperatura máxima de reflujo (° C)	260
TIME @ peak reflow temperp (s)	30
Código Jesd-30	R-PDSO-G3
Estado de calificación	No calificado
Configuración	Single con diodo incorporado
Modo de funcionamiento	Modo de mejora
Tipo de FET	N-canal
Aplicación de transistor	Traspuesta
Rds on (max) @ id, VGS	45mΩ @ 4.2a, 4.5V
VGS (th) (max) @ id	1.2V @ 250μA
Capacitancia de entrada (CISS) (max) @ vds	740pf @ 15V
CARGA DE GATE (QG) (MAX) @ VGS	12NC @ 5V
Drene a la fuente de voltaje (VDSS)	20V
Código JEDEC-95	To-236ab
Drene la corriente-max (ABS) (ID)	4.2a
Fuga de drenaje en resistencia-max	0.045Ω
Drenaje pulsado Corriente-Max (IDM)	33a
Voltaje de desglose de DS-Min	20V
Disipación de potencia-Max (ABS)	1.25W
Estado de ROHS	No compatible

IRLML2502 Diagrama de bloque funcional

IRLML2502 Ejemplo de circuito eléctrico

IRLML2502 piezas y alternativas similares

Número de parte	Descripción	Fabricante
IRLML2502TR Transistores	Transistor de efecto de campo de potencia, 4.2A I (D), 20V, 0.045ohm, 1 elemento, canal N, silicio, fet semiconductor de óxido metálico, micro-3	Rectificador internacional
IRLML2502PBF Transistores	Transistor de efecto de campo de potencia, 4.2A I (D), 20V, 0.045ohm, 1 elemento, canal N, silicio, fet semiconductor de óxido metálico, TO-236AB, halógeno y micro-3 sin plomo, micro-3	Rectificador internacional
IRLML2502 Transistores	Transistor de efecto de campo de potencia, 4.2A I (D), 20V, 0.045ohm, 1 elemento, canal N, silicio, fet semiconductor de óxido metálico, micro-3	Rectificador internacional
IRLML2502GTRPBF Transistores	Transistor de efecto de campo de potencia, 4.2A I (D), 20V, 0.045ohm, 1 elemento, canal N, silicio, fet semiconductor de óxido metálico, TO-236AB, sin plomo, micro-3	Infineon Technologies AG

Aplicaciones típicas de IRLML2502

Motores de DC

Si está trabajando con DC Motors, el IRLML2502 puede ser una adición útil.Su baja resistencia en la resistencia y la velocidad de conmutación rápida lo hacen excelente para controlar la velocidad y la eficiencia del motor.Encontrará que puede manejar las demandas de las aplicaciones motoras, manteniendo el rendimiento suave y consistente.

Inversores

El IRLML2502 también es una buena opción cuando se trata de inversores.Debido a sus capacidades de conmutación rápida, ayuda a convertir eficientemente DC en AC.Notará que este MOSFET funciona bien en configuraciones donde necesita un rendimiento confiable con el tiempo.

SMPS

Para las alimentaciones de modo de interruptor (SMPS), este MOSFET ofrece la baja pérdida de energía y la alta eficiencia que puede necesitar.Su bajo perfil y paquete compacto facilitan la integración en los diseños SMPS, especialmente cuando se trata de espacios ajustados.

Iluminación

En aplicaciones de iluminación, el IRLML2502 puede ayudar a controlar la energía que va a LED u otras fuentes de luz.Encontrará su eficiencia y capacidad para manejar las corrientes más altas cuando se trabaja con sistemas de iluminación pequeños y grandes.

Interruptores de carga

Las capacidades de baja resistencia y alta corriente del MOSFET lo convierten en una fuerte opción para los interruptores de carga.Ya sea que esté controlando la alimentación a diferentes partes de un dispositivo o conmutando entre cargas, este componente asegura un funcionamiento suave.

Aplicaciones con batería

Si está diseñando dispositivos con batería, el IRLML2502 ofrece la eficiencia que necesita para extender la duración de la batería.Su baja pérdida de potencia significa que su dispositivo puede funcionar más tiempo con una sola carga, por lo que es ideal para productos electrónicos portátiles u otros sistemas que funcionan con baterías.

Información del paquete IRLML2502

Información del fabricante para IRLML2502

Infineon Technologies, anteriormente conocida como Siemens Semiconductor, aporta una gran experiencia a la mesa.Con su enfoque en la innovación y la adaptabilidad, Infineon se ha convertido en un proveedor líder de componentes microelectrónicos.Su amplia gama de productos está diseñada para satisfacer las necesidades de varias industrias, desde la electrónica de consumo hasta las aplicaciones industriales.Este MOSFET se beneficia del compromiso de Infineon con la fabricación de alta calidad y el desarrollo de productos.La compañía continúa evolucionando en la industria de la microelectrónica en constante cambio, ofreciendo componentes que satisfacen las demandas de la tecnología moderna.Su extensa cartera de productos incluye no solo circuitos integrados sino también dispositivos de semiconductores discretos, lo que garantiza que pueda encontrar soluciones adaptadas a los requisitos específicos de su proyecto