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Guía del transistor 2N1711: pinout, especificaciones y modelos equivalentes

El 2N1711 es un transistor NPN basado en silicio alojado en un paquete de metal duradero a 39.Conocido por su confiabilidad, es una opción favorita para diseñar amplificadores, osciladores y circuitos de conmutación de alto rendimiento.Con especificaciones notables como un voltaje de emisor de colección de 50V y una corriente de colección de hasta 3A, el 2N1711 es adecuado para aplicaciones exigentes.Este artículo profundiza en las características clave, aplicaciones prácticas y ventajas de usar el 2N1711, ilustrando por qué sigue siendo un componente de referencia en diseños electrónicos de precisión.

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Comprender el 2N1711

El 2N1711 El transistor, encerrado en un paquete de metal TO-39, juega diversos roles, como conmutación, amplificación y oscilación.Maneja hasta 500 mA de corriente del colector en el cambio y soporta corrientes de recaudador máximas de hasta 1A, gestionando con expertos breves oleadas de alta corriente.Esta habilidad hace que el 2N1711 sea una elección confiable para los circuitos que exigen respuestas rápidas y dinámicas.

En sus aplicaciones prácticas, la naturaleza flexible del 2N1711 brilla.Se destaca en las corrientes de cambio rápidamente, lo que lo hace adecuado para una variedad de usos, desde la amplificación de señal directa hasta las intrincadas tareas de oscilación.Su diseño robusto garantiza un funcionamiento confiable en diversos configuraciones electrónicas, reflejando lecciones aprendidas del uso real donde la precisión y la estabilidad importan.

El despliegue del 2N1711 enfatiza su papel requerido.En los circuitos de amplificación de audio, por ejemplo, puede mejorar notablemente la claridad y la fidelidad.Estas mejoras muestran que incluso con los avances tecnológicos, los componentes tradicionales como el 2N1711 siguen siendo fundamentales para lograr un rendimiento excepcional.

Configuración del pin 2N1711

Especificaciones técnicas

Tipo	Parámetro
Montar	A través del agujero
Tipo de montaje	A través del agujero
Paquete / estuche	TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN
Número de alfileres	3
Peso	4.535924g
Material del elemento transistor	Silicio
Voltaje de descomposición del emisor de colección	50V
Número de elementos	1
hfe (min)	40
Temperatura de funcionamiento	175 ° C TJ
Embalaje	Tubo
Código JESD-609	E3
Código PBFree	Sí
Estatus de parte	Obsoleto
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL)	1 (ilimitado)
Número de terminaciones	3
Acabado terminal	Lata mate (sn)
Voltaje - DC clasificado	75V
Disipación de potencia máxima	800MW
Posición terminal	Abajo
Forma terminal	Cable
Calificación actual	500mA
Frecuencia	100MHz
Número de pieza base	2n17
Recuento de alfileres	3
Configuración de elementos	Soltero
Disipación de potencia	800MW
Aplicación de transistor	Traspuesta
Ganar producto de ancho de banda	100MHz
Tipo de polaridad/canal	NPN
Tipo de transistor	NPN
Voltaje del emisor de colección (VCEO)	50V
Actual de colección máxima	500mA
DC Current Gane (HFE) @ IC, VCE	35 @ 100 mapa, 10v
Actual - Corte de colección (Max)	10NA ICBO
VCE Saturation (Max) @ IB, IC	1.5V @ 15 mA, 150 mA
Frecuencia de transición	100MHz
Voltaje base de colección (VCBO)	75V
Voltaje base del emisor (VEBO)	7V
Altura	6.6 mm
Longitud	9.4 mm
Ancho	9.4 mm
Endurecimiento por radiación	No
Estado de ROHS	ROHS3 Cumplante
Plomo libre	Plomo libre

Características del 2N1711

Característica	Descripción
Tipo de paquete	To-39
Tipo de transistor	NPN
Corriente del colector máximo (IC)	500 mA
Voltaje Max Collector-Emister (VCE)	50 V
Voltaje de base coleccionista máxima (VCB)	75 V
Voltaje de base de emisor máximo (VBE)	7 V
Disipación de colección máxima (PC)	800 MW
Frecuencia de transición máxima (FT)	100 MHz
Ganancia de corriente de CC mínima y máxima (HFE)	100 a 300
Rango de temperatura máxima de almacenamiento, operación y unión	-65 ° C a 200 ° C

Beneficios del transistor 2N1711

Gestión de voltaje mejorada

Conocido por su capacidad de recuperación en el manejo de voltajes elevados, el 2N1711 se destaca como un guardián contra la descomposición.En los diseños de la fuente de alimentación, garantizar la confiabilidad bajo estrés se vuelve más evidente.Al seleccionar componentes con dicha resistencia de voltaje, la electrónica perdura y prospere en condiciones desafiantes, ofreciendo tranquilidad a quienes confían en ellos.

Uso de energía eficiente

Exhibiendo una corriente de fuga mínima, el 2N1711 optimiza la eficiencia del circuito al minimizar el uso de energía injustificada durante la inactividad.Especialmente en dispositivos con baterías, este rasgo se convierte en una bendición, extendiendo intervalos entre las cargas y fomentando la vida útil del dispositivo.A menudo puede elegir transistores con esta función para crear diseños más sostenibles.

Precisión de señal con interferencia mínima

Debido a su baja capacitancia, este transistor minimiza las interrupciones en las señales de alta frecuencia, convirtiéndose en un pilar de confiabilidad en las aplicaciones de RF.Cuando se buscan claridad y precisión, dicho rendimiento garantiza que los dispositivos de comunicación mantengan la integridad de la señal, lo que generó confianza en sus usuarios.

Manejo de corriente versátil para un rendimiento estable

Una amplia gama de corriente, junto con la beta estable, ofrece adaptabilidad en escenarios de amplificación, acomodando con gracia cargas variables sin fluctuaciones sustanciales en ganancia.Este atributo agiliza los procesos de diseño, que proporciona un rendimiento constante en diferentes paisajes operativos.Los transistores con estos rasgos son favorecidos por su confiabilidad en la entrega de respuestas de circuito predecible.

Aplicaciones de 2N1711

Capacidades de conmutación

El transistor 2N1711 a menudo encuentra un lugar en varias aplicaciones de conmutación.Su construcción sólida lo hace adecuado para manejar tareas de potencia media sin esfuerzo, incluso en escenarios desafiantes.Puede favorecerlo para los circuitos que necesitan transiciones rápidas de encendido-apagado, aprovechando su competencia de conmutación confiable para aumentar la capacidad de respuesta del sistema.La experiencia indica que su rendimiento constante en condiciones diversas lo convierte en una elección confiable para los sistemas dinámicos.

Amplificación de audio

En las configuraciones de audio, el 2N1711 funciona como un amplificador competente.Puede apreciar su capacidad para mejorar la claridad sólida al amplificar las señales con una distorsión mínima.Su papel en los circuitos analógicos enfatiza su importancia en el mantenimiento de la integridad de la señal, que es activo para el audio de alta fidelidad.A menudo puede recurrir a él para proyectos de audio de bricolaje, valorando su precisión y confiabilidad.

Pre-amplificación

El dominio de la preamplificación es otra área donde brilla el 2N1711.Prepara señales para más etapas de amplificación, asegurando que las salidas sean claras y fieles.Su perfil de bajo ruido hace que sea adecuado para aplicaciones sensibles de audio y radiofrecuencia, donde la calidad de la señal temprana juega un papel importante en el resultado.El uso del 2N1711 en preamplificación puede mejorar significativamente el rendimiento.

Aplicaciones de RF

El alcance del 2N1711 se extiende a las tareas de radiofrecuencia, donde maneja las señales de RF de manera efectiva.Su capacidad para operar a altas frecuencias lo valora en los circuitos de RF.Puede depender de su estabilidad y precisión para mantener una calidad de comunicación consistente, donde el mantenimiento de la fuerza de la señal contra la interferencia es activo.El uso real de este componente a menudo destaca su papel principal en los avances de tecnología de RF.

Amplificación de señal general

Más allá de las aplicaciones específicas, el 2N1711 se emplea para la amplificación de señal general.Ayuda en proyectos que van desde pequeñas electrónicas hasta diseños de circuitos complejos, ofreciendo funciones de amplificación útiles.Su flexibilidad le permite satisfacer las diferentes demandas del circuito con facilidad, ofreciendo consistentemente resultados sobresalientes en numerosas aplicaciones.Esta versatilidad encarna la estrategia más amplia de utilizar componentes adaptables para simplificar el diseño y la ejecución en diversas empresas tecnológicas.

Alternativas al transistor 2N1711

-2N3019

Funcionalidad del circuito de 2N1711

Detalles del circuito

El transistor 2N1711 muestra una notable adaptabilidad, ajustando a la perfección en la base común, el emisor común y las configuraciones de colección comunes.Cada configuración ofrece sus ventajas.La configuración del emisor común, en particular, se aprecia por su impresionante voltaje y ganancia de potencia.A menudo aumenta la intensidad de la señal de entrada en aproximadamente 20dB, lo que se traduce en un aumento de cien veces.Aquí, el voltaje del colector supera el voltaje base, mientras que la corriente del emisor involucra corrientes de base y colección, lo que demuestra el flujo de corriente acumulada.

Las variaciones de dopaje juegan un papel clave en las operaciones de transistores.El emisor se somete a dopaje pesado, reduciendo así la resistencia y mejora la inyección de electrones.Por el contrario, el coleccionista recibe dopaje de luz para facilitar la recolección eficiente y minimizar la pérdida de energía.Estas diferencias dan forma a los rasgos de amplificación y garantizan la confiabilidad en diversas aplicaciones.

Comprender el factor de amplificación actual, indicado por Beta (β), ayuda a elaborar circuitos eficientes.Define la relación de corriente de colección a la corriente base, lo que lo ayuda a pronosticar el comportamiento del transistor en diferentes condiciones.Las aplicaciones prácticas resaltan cómo el control cuidadoso de β puede influir significativamente en el rendimiento del circuito, lo que influye en las decisiones donde se utilizan la estabilidad y la eficiencia.

Dimensiones

Detalles del fabricante

STMicroelectronics emerge como una fuerza sustancial en el sector semiconductores, celebrado por sus innovaciones innovadoras.A la vanguardia de la microelectrónica, la experiencia de la compañía brilla a través de sus capacidades de vanguardia, especialmente en las tecnologías del sistema en chip (SOC).Sus soluciones abarcan una amplia gama de campos, incrustándose profundamente en los sectores automotriz, industrial, personal personal y de comunicación, que muestran su influencia de largo alcance.

La destreza de STMicroelectronics en la tecnología SOC es un elemento inicial de su éxito, facilitando la fusión de intrincadas funcionalidades en componentes unificados.Al perfeccionar estas soluciones, han impactado profundamente la eficiencia y el rendimiento de los dispositivos electrónicos.Esta estrategia maximiza el espacio y la eficiencia energética al tiempo que eleva las experiencias de los usuarios en diversas plataformas, lo que refleja su dedicación al avance y la excelencia.

Hoja de datos pdf

2N1711 Hojas de datos:

2n1711.pdf

2N3019 Hojas de datos:

2n3019.pdf

Preguntas frecuentes [Preguntas frecuentes]

1. ¿Cuál es el uso de 2N1711?

El 2N1711 es un transistor NPN basado en silicio.Encuentra su lugar en configuraciones de alto rendimiento, como amplificadores, osciladores e interruptores.Su diseño brilla principalmente en amplificación de bajo ruido, lo que lo convierte en una opción preferida para los usos de audio y radiofrecuencia.En aplicaciones reales, se aprecia para mejorar la claridad de la señal en los dispositivos de comunicación y la electrónica sensible.El estudio de implementaciones exitosas destaca cómo la selección de componentes influye en el rendimiento general del sistema.

2. ¿Cómo funciona el 2N1711?

El 2N1711 funciona como un transistor de unión bipolar (BJT), utilizando agujeros y electrones para la conducción.Al aplicar un voltaje positivo a la base, el transistor modula corrientes más grandes entre el emisor y el colector, funcionando como un amplificador de corriente.Este proceso permite un control preciso en los circuitos electrónicos, mostrando su papel en la regulación y la modulación de la señal.Las ideas de la industria muestran que la manipulación hábil de la corriente base puede mejorar significativamente el rendimiento del transistor, ilustrando las complejidades de la ingeniería estratégica electrónica.