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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaSQ1420EEH-T1-GE3
Vishay Siliconix
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

SQ1420EEH-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Fabricante Número de pieza
SQ1420EEH-T1-GE3
Fabricante
Vishay / Siliconix
Allelco Número de pieza
32D-SQ1420EEH-T1-GE3
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 60V 1.6A SC70-6
Descripción detallada
Embalaje
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Ficha de datos
SQ1420EEH-T1-GE3.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 5190

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas SQ1420EEH-T1-GE3
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Vishay Siliconix - SQ1420EEH-T1-GE3 con especificaciones similares a Vishay Siliconix - SQ1420EEH-T1-GE3

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 250µA  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo SC-70-6  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 140mOhm @ 1.2A, 10V  
Paquete / Cubierta 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paquete Cut Tape (CT)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 215 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 4 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 1.6A (Tc)  
Número de producto base SQ1420  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Vishay Siliconix SQ1420EEH-T1-GE3

Atributo del producto SQ1420EEH-T1-GE3 SQ1431EH-T1_GE3 SQ1470AEH-T1_GE3 SQ1470EH-T1-GE3
Número de pieza SQ1420EEH-T1-GE3 SQ1431EH-T1_GE3 SQ1470AEH-T1_GE3 SQ1470EH-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Paquete / Cubierta 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 215 pF @ 25 V 205 pF @ 25 V 450 pF @ 15 V 610 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 250µA 2V @ 250µA 1.6V @ 250µA 1.6V @ 250µA
Número de producto base SQ1420 SQ1431 SQ1470 SQ1470
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 4 nC @ 4.5 V 6.5 nC @ 4.5 V 5.2 nC @ 4.5 V 6.6 nC @ 4.5 V
RDS (Max) @Id, Vgs 140mOhm @ 1.2A, 10V 175mOhm @ 2A, 10V 65mOhm @ 4.2A, 4.5V 65mOhm @ 3.8A, 4.5V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 1.6A (Tc) 3A (Tc) 1.7A (Tc) 2.8A (Tc)
Paquete Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Serie - TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® -
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V 30 V 30 V 30 V
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Característica de FET - - - -

SQ1420EEH-T1-GE3 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF SQ1420EEH-T1-GE3 y la documentación Vishay Siliconix para SQ1420EEH-T1-GE3 - Vishay Siliconix.

PCN obsolescencia/ EOL
Multiple Devices 03/Mar/2015.pdf

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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