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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaSIR688DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

SIR688DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Fabricante Número de pieza
SIR688DP-T1-GE3
Fabricante
Vishay / Siliconix
Allelco Número de pieza
32D-SIR688DP-T1-GE3
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Descripción detallada
Embalaje
PowerPAK® SO-8
Ficha de datos
PowerPak SO-8 Drawing.pdf
SIR688DP.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 39140

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas SIR688DP-T1-GE3
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Vishay Siliconix - SIR688DP-T1-GE3 con especificaciones similares a Vishay Siliconix - SIR688DP-T1-GE3

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @Id 2.7V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo PowerPAK® SO-8  
Serie TrenchFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 3.5mOhm @ 20A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 5.4W (Ta), 83W (Tc)  
Paquete / Cubierta PowerPAK® SO-8  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3105 pF @ 30 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 66 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 60A (Tc)  
Número de producto base SIR688  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Vishay Siliconix SIR688DP-T1-GE3

Atributo del producto SIR688DP-T1-GE3 SIR788DP-T1-GE3 SIR680ADP-T1-RE3 SIR774DP-T1-GE3
Número de pieza SIR688DP-T1-GE3 SIR788DP-T1-GE3 SIR680ADP-T1-RE3 SIR774DP-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 7.5V, 10V 4.5V, 10V
Serie TrenchFET® SkyFET®, TrenchFET® TrenchFET® Gen IV SkyFET®, TrenchFET®
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 66 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V 83 nC @ 10 V -
RDS (Max) @Id, Vgs 3.5mOhm @ 20A, 10V 3.4mOhm @ 20A, 10V 2.88mOhm @ 20A, 10V -
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 60A (Tc) 60A (Tc) 30.7A (Ta), 125A (Tc) 32A (Ta), 40A (Tc)
VGS (th) (Max) @Id 2.7V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA -
Paquete del dispositivo PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 -
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V 30 V 80 V -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3105 pF @ 30 V 2873 pF @ 15 V 4415 pF @ 40 V -
Número de producto base SIR688 SIR788 SIR680 SIR774
Paquete / Cubierta PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 -
Característica de FET - Schottky Diode (Body) - -
La disipación de energía (máximo) 5.4W (Ta), 83W (Tc) 5W (Ta), 48W (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

SIR688DP-T1-GE3 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF SIR688DP-T1-GE3 y la documentación Vishay Siliconix para SIR688DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix.

Diseño/especificación de PCN
Mult Dev 07/Jun/2023.pdf New solder paste 26/May/2023.pdf
Ensamblaje de PCN/origen
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf
Hojas de datos
PowerPak SO-8 Drawing.pdf SIR688DP.pdf

Modo de transporte

El tiempo de entrega

Los artículos en el stock se pueden enviar dentro de las 24 horas.Se organizarán algunas piezas para la entrega dentro de los 1-2 días a partir de la fecha en que todos los artículos lleguen a nuestro almacén.Y los barcos Allelco ordenan una vez al día alrededor de las 17:00, excepto el domingo.Una vez que se envían los productos, el tiempo de entrega estimado depende de los métodos de envío y el destino de entrega.La siguiente tabla muestra el tiempo logístico para algunos países comunes.

Coste de envío

  1. Use su cuenta expresa para el envío si tiene una.
  2. Use nuestra cuenta para el envío.Consulte la tabla a continuación para obtener los cargos aproximados.
(Diferentes marco de tiempo / países / tamaño del paquete tiene un precio diferente).

Método de entrega

  1. Envío común global por DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF SOBRE SOPORTE.
  2. Otras más formas de envío, póngase en contacto con su gerente de clientes.

Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
Póngase en contacto con nosotros si tiene alguna pregunta.

Modos de pago compatibles

La forma de pago puede elegirse entre los métodos que se indican a continuación: Transferencia bancaria (T/T, Transferencia bancaria), Western Union, Tarjeta de crédito, PayPal.

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