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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaSI9424BDY-T1-E3
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Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

SI9424BDY-T1-E3 - Vishay Siliconix

Fabricante Número de pieza
SI9424BDY-T1-E3
Fabricante
Vishay / Siliconix
Allelco Número de pieza
32D-SI9424BDY-T1-E3
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SO
Descripción detallada
Embalaje
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ficha de datos
SI9424BDY.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 4980

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas SI9424BDY-T1-E3
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Vishay Siliconix - SI9424BDY-T1-E3 con especificaciones similares a Vishay Siliconix - SI9424BDY-T1-E3

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @Id 850mV @ 250µA  
Vgs (Max) ±9V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo 8-SOIC  
Serie TrenchFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 25mOhm @ 7.1A, 4.5V  
La disipación de energía (máximo) 1.25W (Ta)  
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 40 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 5.6A (Ta)  
Número de producto base SI9424  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Vishay Siliconix SI9424BDY-T1-E3

Atributo del producto SI9424BDY-T1-E3 SI9424DY SI9426DY SI9424BDY-T1-GE3
Número de pieza SI9424BDY-T1-E3 SI9424DY SI9426DY SI9424BDY-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix onsemi Fairchild Semiconductor Vishay Siliconix
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 40 nC @ 4.5 V 33 nC @ 5 V 60 nC @ 4.5 V 40 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±9V ±10V ±8V ±9V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V 20 V 20 V 20 V
Característica de FET - - - -
Tipo FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete del dispositivo 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
RDS (Max) @Id, Vgs 25mOhm @ 7.1A, 4.5V 24mOhm @ 8A, 4.5V 13.5mOhm @ 10.5A, 4.5V 25mOhm @ 7.1A, 4.5V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 5.6A (Ta) 8A (Ta) 10.5A (Ta) 5.6A (Ta)
VGS (th) (Max) @Id 850mV @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 850mV @ 250µA
Serie TrenchFET® PowerTrench® - TrenchFET®
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La disipación de energía (máximo) 1.25W (Ta) 2.5W (Ta) 1W (Ta) 1.25W (Ta)
Número de producto base SI9424 SI942 - SI9424
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.7V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)

SI9424BDY-T1-E3 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF SI9424BDY-T1-E3 y la documentación Vishay Siliconix para SI9424BDY-T1-E3 - Vishay Siliconix.

PCN obsolescencia/ EOL
PCN- SIL-0722014 10/Jun/2014.pdf
Hojas de datos
SI9424BDY.pdf

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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