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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaSI8808DB-T2-E1
SI8808DB-T2-E1 Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

SI8808DB-T2-E1 - Vishay Siliconix

Fabricante Número de pieza
SI8808DB-T2-E1
Fabricante
Vishay / Siliconix
Allelco Número de pieza
32D-SI8808DB-T2-E1
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
Descripción detallada
Embalaje
4-UFBGA
Ficha de datos
Si8808DB.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 286660

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas SI8808DB-T2-E1
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Vishay Siliconix - SI8808DB-T2-E1 con especificaciones similares a Vishay Siliconix - SI8808DB-T2-E1

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @Id 900mV @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo 4-Microfoot  
Serie TrenchFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 95mOhm @ 1A, 4.5V  
La disipación de energía (máximo) 500mW (Ta)  
Paquete / Cubierta 4-UFBGA  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 15 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 10 nC @ 8 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 1.8A (Ta)  
Número de producto base SI8808  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Vishay Siliconix SI8808DB-T2-E1

Atributo del producto SI8808DB-T2-E1 SI8800EDB-T2-E1 SI8805EDB-T2-E1 SI8816EDB-T2-E1
Número de pieza SI8808DB-T2-E1 SI8800EDB-T2-E1 SI8805EDB-T2-E1 SI8816EDB-T2-E1
Fabricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Característica de FET - - - -
Número de producto base SI8808 SI8800 SI8805 SI8816
Paquete del dispositivo 4-Microfoot 4-Microfoot 4-Microfoot 4-Microfoot
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 1.8A (Ta) 2A (Ta) 2.2A (Ta) 1.5A (Ta)
Vgs (Max) ±8V ±8V ±5V ±12V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.2V, 4.5V 2.5V, 10V
Paquete / Cubierta 4-UFBGA 4-XFBGA, CSPBGA 4-XFBGA, CSPBGA 4-XFBGA
Tipo FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @Id 900mV @ 250µA 1V @ 250µA 700mV @ 250µA 1.4V @ 250µA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 15 V - - 195 pF @ 15 V
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V 20 V 8 V 30 V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
La disipación de energía (máximo) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
RDS (Max) @Id, Vgs 95mOhm @ 1A, 4.5V 80mOhm @ 1A, 4.5V 68mOhm @ 1.5A, 4.5V 109mOhm @ 1A, 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 10 nC @ 8 V 8.3 nC @ 8 V 10 nC @ 4.5 V 8 nC @ 10 V
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

SI8808DB-T2-E1 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF SI8808DB-T2-E1 y la documentación Vishay Siliconix para SI8808DB-T2-E1 - Vishay Siliconix.

Información ambiental
Material Compliance.pdf
Hojas de datos
Si8808DB.pdf

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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