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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaSI8401DB-T1-E3
Vishay Siliconix
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

SI8401DB-T1-E3 - Vishay Siliconix

Fabricante Número de pieza
SI8401DB-T1-E3
Fabricante
Vishay / Siliconix
Allelco Número de pieza
32D-SI8401DB-T1-E3
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET P-CH 20V 3.6A 4MICROFOOT
Descripción detallada
Embalaje
4-XFBGA, CSPBGA
Ficha de datos
SI8401DB.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 37293

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas SI8401DB-T1-E3
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Vishay Siliconix - SI8401DB-T1-E3 con especificaciones similares a Vishay Siliconix - SI8401DB-T1-E3

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @Id 1.4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo 4-Microfoot  
Serie TrenchFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 65mOhm @ 1A, 4.5V  
La disipación de energía (máximo) 1.47W (Ta)  
Paquete / Cubierta 4-XFBGA, CSPBGA  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 17 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 3.6A (Ta)  
Número de producto base SI8401  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Vishay Siliconix SI8401DB-T1-E3

Atributo del producto SI8401DB-T1-E3 SI8402DB-T1-E1 SI8404DB-T1-E1 SI8401DB-T1-E1
Número de pieza SI8401DB-T1-E3 SI8402DB-T1-E1 SI8404DB-T1-E1 SI8401DB-T1-E1
Fabricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Paquete del dispositivo 4-Microfoot 4-Microfoot 4-Microfoot 4-Microfoot
La disipación de energía (máximo) 1.47W (Ta) - 2.78W (Ta), 6.25W (Tc) 1.47W (Ta)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V 20 V 8 V 20 V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V - 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Característica de FET - - - -
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 3.6A (Ta) 5.3A (Ta) 12.2A (Tc) 3.6A (Ta)
Paquete Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Número de producto base SI8401 SI8402 SI8404 SI8401
VGS (th) (Max) @Id 1.4V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1.4V @ 250µA
Vgs (Max) ±12V - ±5V ±12V
RDS (Max) @Id, Vgs 65mOhm @ 1A, 4.5V 37mOhm @ 1A, 4.5V 31mOhm @ 1A, 4.5V 65mOhm @ 1A, 4.5V
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Serie TrenchFET® - TrenchFET® TrenchFET®
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 17 nC @ 4.5 V 26 nC @ 4.5 V 33 nC @ 5 V 17 nC @ 4.5 V
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paquete / Cubierta 4-XFBGA, CSPBGA 4-XFBGA, CSPBGA 4-XFBGA, CSPBGA 4-XFBGA, CSPBGA

SI8401DB-T1-E3 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF SI8401DB-T1-E3 y la documentación Vishay Siliconix para SI8401DB-T1-E3 - Vishay Siliconix.

Información ambiental
Material Compliance.pdf
Hojas de datos
SI8401DB.pdf

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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