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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaSI4102DY-T1-GE3
SI4102DY-T1-GE3 Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.
OPCIóN EXPRESA
Método de pago

SI4102DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Fabricante Número de pieza
SI4102DY-T1-GE3
Fabricante
Vishay / Siliconix
Allelco Número de pieza
32D-SI4102DY-T1-GE3
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 100V 3.8A 8SO
Embalaje
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ficha de datos
SI4102DY.pdf
Estado RoHS
Nuestra certificación
Existencias disponibles: 4420

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Cantidad
OPCIóN EXPRESA
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Nuestra certificación

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas SI4102DY-T1-GE3
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Vishay Siliconix - SI4102DY-T1-GE3 con especificaciones similares a Vishay Siliconix - SI4102DY-T1-GE3

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo 8-SOIC  
Serie TrenchFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 158mOhm @ 2.7A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 2.4W (Ta), 4.8W (Tc)  
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 370 pF @ 50 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 11 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 3.8A (Tc)  
Número de producto base SI4102  

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estatus de alcance
ECCN EAR99
HTSUS

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Vishay Siliconix SI4102DY-T1-GE3

Atributo del producto SI4102DY-T1-GE3 SI4100DY-T1-GE3 SI4090DY-T1-GE3 SI4104DY-T1-E3
Número de pieza SI4102DY-T1-GE3 SI4100DY-T1-GE3 SI4090DY-T1-GE3 SI4104DY-T1-E3
Fabricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V 100 V 100 V 100 V
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 11 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 69 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 370 pF @ 50 V 600 pF @ 50 V 2410 pF @ 50 V 446 pF @ 50 V
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 3.3V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Número de producto base SI4102 SI4100 SI4090 SI4104
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
La disipación de energía (máximo) 2.4W (Ta), 4.8W (Tc) 2.5W (Ta), 6W (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Paquete del dispositivo 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Característica de FET - - - -
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 3.8A (Tc) 6.8A (Tc) 19.7A (Tc) 4.6A (Tc)
RDS (Max) @Id, Vgs 158mOhm @ 2.7A, 10V 63mOhm @ 4.4A, 10V 10mOhm @ 15A, 10V 105mOhm @ 5A, 10V

SI4102DY-T1-GE3 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF SI4102DY-T1-GE3 y la documentación Vishay Siliconix para SI4102DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix.

PCN obsolescencia/ EOL
Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018.pdf
Hojas de datos
SI4102DY.pdf

Modo de transporte

El tiempo de entrega

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(Diferentes marco de tiempo / países / tamaño del paquete tiene un precio diferente).

Método de entrega

  1. Envío común global por DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF SOBRE SOPORTE.
  2. Otras más formas de envío, póngase en contacto con su gerente de clientes.

Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
Póngase en contacto con nosotros si tiene alguna pregunta.

Modos de pago compatibles

La forma de pago puede elegirse entre los métodos que se indican a continuación: Transferencia bancaria (T/T, Transferencia bancaria), Western Union, Tarjeta de crédito, PayPal.

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