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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaSI3477DV-T1-GE3
SI3477DV-T1-GE3 Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.
OPCIóN EXPRESA
Método de pago

SI3477DV-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Fabricante Número de pieza
SI3477DV-T1-GE3
Fabricante
Vishay / Siliconix
Allelco Número de pieza
32D-SI3477DV-T1-GE3
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP
Embalaje
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Ficha de datos
SI3477DV.pdf
Estado RoHS
Nuestra certificación
Existencias disponibles: 114920

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Cantidad
OPCIóN EXPRESA
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Especificaciones

Especificaciones tecnológicas SI3477DV-T1-GE3
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Vishay Siliconix - SI3477DV-T1-GE3 con especificaciones similares a Vishay Siliconix - SI3477DV-T1-GE3

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo 6-TSOP  
Serie TrenchFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 17.5mOhm @ 9A, 4.5V  
La disipación de energía (máximo) 2W (Ta), 4.2W (Tc)  
Paquete / Cubierta SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2600 pF @ 6 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 90 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 12 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Tc)  
Número de producto base SI3477  

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estatus de alcance
ECCN EAR99
HTSUS

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Vishay Siliconix SI3477DV-T1-GE3

Atributo del producto SI3477DV-T1-GE3 SI3475DV-T1-E3 SI3483DDV-T1-GE3 SI3481DV-T1-GE3
Número de pieza SI3477DV-T1-GE3 SI3475DV-T1-E3 SI3483DDV-T1-GE3 SI3481DV-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Tc) 950mA (Tc) 6.4A (Ta), 8A (Tc) 4A (Ta)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 12 V 200 V 30 V 30 V
Paquete del dispositivo 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 6V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
RDS (Max) @Id, Vgs 17.5mOhm @ 9A, 4.5V 1.61Ohm @ 900mA, 10V 31.2mOhm @ 5A, 10V 48mOhm @ 5.3A, 10V
Número de producto base SI3477 SI3475 SI3483 SI3481
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® Gen IV TrenchFET®
La disipación de energía (máximo) 2W (Ta), 4.2W (Tc) 2W (Ta), 3.2W (Tc) 2W (Ta), 3W (Tc) 1.14W (Ta)
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 250µA 4V @ 250µA 2.2V @ 250µA 3V @ 250µA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2600 pF @ 6 V 500 pF @ 50 V 580 pF @ 15 V -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±10V ±20V +16V, -20V ±20V
Característica de FET - - - -
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 90 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 14.5 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V

SI3477DV-T1-GE3 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF SI3477DV-T1-GE3 y la documentación Vishay Siliconix para SI3477DV-T1-GE3 - Vishay Siliconix.

Ensamblaje de PCN/origen
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf
Hojas de datos
SI3477DV.pdf

Modo de transporte

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(Diferentes marco de tiempo / países / tamaño del paquete tiene un precio diferente).

Método de entrega

  1. Envío común global por DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF SOBRE SOPORTE.
  2. Otras más formas de envío, póngase en contacto con su gerente de clientes.

Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
Póngase en contacto con nosotros si tiene alguna pregunta.

Modos de pago compatibles

La forma de pago puede elegirse entre los métodos que se indican a continuación: Transferencia bancaria (T/T, Transferencia bancaria), Western Union, Tarjeta de crédito, PayPal.

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