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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-matricesSI1557DH-T1-E3
Vishay Siliconix
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

SI1557DH-T1-E3 - Vishay Siliconix

Fabricante Número de pieza
SI1557DH-T1-E3
Fabricante
Vishay / Siliconix
Allelco Número de pieza
32D-SI1557DH-T1-E3
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N/P-CH 12V 1.2A SC70-6
Descripción detallada
Embalaje
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Ficha de datos
SI1557DH-T1-E3.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 4760

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas SI1557DH-T1-E3
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Vishay Siliconix - SI1557DH-T1-E3 con especificaciones similares a Vishay Siliconix - SI1557DH-T1-E3

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 100µA  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo SC-70-6  
Serie TrenchFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 235mOhm @ 1.2A, 4.5V  
Potencia - Max 470mW  
Paquete / Cubierta 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds -  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 1.2nC @ 4.5V  
Característica de FET Logic Level Gate  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 12V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 1.2A, 770mA  
Configuración N and P-Channel  
Número de producto base SI1557  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Vishay Siliconix SI1557DH-T1-E3

Atributo del producto SI1557DH-T1-E3 SI1563DH-T1-GE3 SI1555DL-T1-E3 SI1553DL-T1-E3
Número de pieza SI1557DH-T1-E3 SI1563DH-T1-GE3 SI1555DL-T1-E3 SI1553DL-T1-E3
Fabricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Paquete / Cubierta 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 100µA 1V @ 100µA 1.4V @ 250µA 600mV @ 250µA (Min)
RDS (Max) @Id, Vgs 235mOhm @ 1.2A, 4.5V 280mOhm @ 1.13A, 4.5V 385mOhm @ 660mA, 4.5V 385mOhm @ 660mA, 4.5V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 1.2nC @ 4.5V 2nC @ 4.5V 1.2nC @ 4.5V 1.2nC @ 4.5V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 1.2A, 770mA 1.13A, 880mA 660mA, 570mA 660mA, 410mA
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 12V 20V 20V, 8V 20V
Característica de FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Número de producto base SI1557 SI1563 SI1555 SI1553
Configuración N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel
Paquete del dispositivo SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Potencia - Max 470mW 570mW 270mW 270mW

SI1557DH-T1-E3 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF SI1557DH-T1-E3 y la documentación Vishay Siliconix para SI1557DH-T1-E3 - Vishay Siliconix.

Información ambiental
Material Compliance.pdf

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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