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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-matricesSI1035X-T1-GE3
SI1035X-T1-GE3 Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

SI1035X-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Fabricante Número de pieza
SI1035X-T1-GE3
Fabricante
Vishay / Siliconix
Allelco Número de pieza
32D-SI1035X-T1-GE3
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N/P-CH 20V SC-89
Descripción detallada
Embalaje
SOT-563, SOT-666
Ficha de datos
SI1035X-T1-GE3.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 234690

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas SI1035X-T1-GE3
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Vishay Siliconix - SI1035X-T1-GE3 con especificaciones similares a Vishay Siliconix - SI1035X-T1-GE3

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @Id 400mV @ 250µA (Min)  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo SC-89 (SOT-563F)  
Serie TrenchFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 5Ohm @ 200mA, 4.5V  
Potencia - Max 250mW  
Paquete / Cubierta SOT-563, SOT-666  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds -  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 0.75nC @ 4.5V  
Característica de FET Logic Level Gate  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 180mA, 145mA  
Configuración N and P-Channel  
Número de producto base SI1035  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Vishay Siliconix SI1035X-T1-GE3

Atributo del producto SI1035X-T1-GE3 SI1034CX-T1-GE3 SI1034X-T1-GE3 SI1034X-T1-E3
Número de pieza SI1035X-T1-GE3 SI1034CX-T1-GE3 SI1034X-T1-GE3 SI1034X-T1-E3
Fabricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
RDS (Max) @Id, Vgs 5Ohm @ 200mA, 4.5V 396mOhm @ 500mA, 4.5V 5Ohm @ 200mA, 4.5V 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20V 20V 20V 20V
Característica de FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuración N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 0.75nC @ 4.5V 2nC @ 8V 0.75nC @ 4.5V 0.75nC @ 4.5V
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 180mA, 145mA 610mA (Ta) 180mA 180mA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds - 43pF @ 10V - -
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Número de producto base SI1035 SI1034 SI1034 SI1034
VGS (th) (Max) @Id 400mV @ 250µA (Min) 1V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Paquete del dispositivo SC-89 (SOT-563F) SC-89 (SOT-563F) SC-89 (SOT-563F) SC-89 (SOT-563F)
Potencia - Max 250mW 220mW 250mW 250mW
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

SI1035X-T1-GE3 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF SI1035X-T1-GE3 y la documentación Vishay Siliconix para SI1035X-T1-GE3 - Vishay Siliconix.

Información ambiental
Material Compliance.pdf
Diseño/especificación de PCN
Mult Dev Material Chgs 1/Jul/2021.pdf

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Método de entrega

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
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