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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRFZ40PBF
Vishay Siliconix
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRFZ40PBF - Vishay Siliconix

Fabricante Número de pieza
IRFZ40PBF
Fabricante
Vishay / Siliconix
Allelco Número de pieza
32D-IRFZ40PBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Descripción detallada
Embalaje
TO-220-3
Ficha de datos
IRFZ40PBF.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 35056

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRFZ40PBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Vishay Siliconix - IRFZ40PBF con especificaciones similares a Vishay Siliconix - IRFZ40PBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-220AB  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 28mOhm @ 31A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 150W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-220-3  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 67 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)  
Número de producto base IRFZ40  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Vishay Siliconix IRFZ40PBF

Atributo del producto IRFZ40PBF IRFZ44ES IRFZ40 IRFZ34PBF
Número de pieza IRFZ40PBF IRFZ44ES IRFZ40 IRFZ34PBF
Fabricante Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V 1360 pF @ 25 V 1900 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - HEXFET® - -
RDS (Max) @Id, Vgs 28mOhm @ 31A, 10V 23mOhm @ 29A, 10V 28mOhm @ 31A, 10V 50mOhm @ 18A, 10V
Característica de FET - - - -
La disipación de energía (máximo) 150W (Tc) 110W (Tc) 150W (Tc) 88W (Tc)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc) 48A (Tc) 50A (Tc) 30A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paquete Tube Tube Tube Tube
Paquete / Cubierta TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Número de producto base IRFZ40 - IRFZ40 IRFZ34
Tipo de montaje Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 67 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V 60 V 60 V 60 V
Paquete del dispositivo TO-220AB D2PAK TO-220AB TO-220AB

IRFZ40PBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRFZ40PBF y la documentación Vishay Siliconix para IRFZ40PBF - Vishay Siliconix.

Otros documentos relacionados
Packaging Information.pdf
Diseño/especificación de PCN
Mult Dev Material Chg 30/Aug/2019.pdf

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Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
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Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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