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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRFZ10
Vishay Siliconix
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRFZ10 - Vishay Siliconix

Fabricante Número de pieza
IRFZ10
Fabricante
Vishay / Siliconix
Allelco Número de pieza
32D-IRFZ10
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
Descripción detallada
Embalaje
TO-220-3
Ficha de datos
IRFZ10.pdf
Existencias disponibles: 3800

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRFZ10
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Vishay Siliconix - IRFZ10 con especificaciones similares a Vishay Siliconix - IRFZ10

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-220AB  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 200mOhm @ 6A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 43W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-220-3  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 11 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)  
Número de producto base IRFZ10  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Vishay Siliconix IRFZ10

Atributo del producto IRFZ10 IRFZ14SPBF IRFZ14S IRFZ20PBF
Número de pieza IRFZ10 IRFZ14SPBF IRFZ14S IRFZ20PBF
Fabricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Paquete Tube Tube Tube Tube
Número de producto base IRFZ10 IRFZ14 IRFZ14 IRFZ20
La disipación de energía (máximo) 43W (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) 40W (Tc)
RDS (Max) @Id, Vgs 200mOhm @ 6A, 10V 200mOhm @ 6A, 10V 200mOhm @ 6A, 10V 100mOhm @ 10A, 10V
Característica de FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 25 V 300 pF @ 25 V 300 pF @ 25 V 850 pF @ 25 V
Tipo de montaje Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V 60 V 60 V 50 V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 11 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - - - -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paquete / Cubierta TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Paquete del dispositivo TO-220AB D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc) 10A (Tc) 10A (Tc) 15A (Tc)

IRFZ10 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRFZ10 y la documentación Vishay Siliconix para IRFZ10 - Vishay Siliconix.

Otros documentos relacionados
Packaging Information.pdf
Hojas de datos
IRFZ10.pdf

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Coste de envío

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(Diferentes marco de tiempo / países / tamaño del paquete tiene un precio diferente).

Método de entrega

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
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